MD2009DFP / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 40 Вт, Напряжение КЭ максимальное 700 В, Ток коллектора 10 А, Коэффициент усиления по току, min 5 , Примечание Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность40 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное700 В
-
Ток коллектора10 А
-
Коэффициент усиления по току, min5
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 10A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin