STD150N3LLH6 / ST Microelectronics
ST Microelectronics
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 2.8...4.5 мОм; @Uзатв(ном): 4.5...10 В; Qзатв: 29 нКл
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.8 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 2.8 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 4.5 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 29 нКл, Рассеиваемая мощность 110 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 , Ёмкость затвора 3.7 нФ
| Наличие | Отгрузка | Цена с НДС | Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 4136 шт | — |
341,49
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса80 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)2.8 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min2.8 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max4.5 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора29 нКл
-
Рассеиваемая мощность110 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
-
Ёмкость затвора3.7 нФ
