STD155N3H6 / ST Microelectronics
ST Microelectronics
Добавить к сравнению
DPAK/N-channel 30 V, 2.5 mO , 80 A,STripFET VI DeepGATE Power MOSFET
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 3 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 62 нКл, Рассеиваемая мощность 110 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 , Ёмкость затвора 3.65 нФ
| Наличие | Отгрузка | Цена с НДС | Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 3578 шт | — |
349,99
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса80 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)3 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max3 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора62 нКл
-
Рассеиваемая мощность110 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
-
Ёмкость затвора3.65 нФ