Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты
Фотография STD7N52K3 ST Microelectronics временно отсутствует

STD7N52K3 / ST Microelectronics

ST Microelectronics
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Iс(25°C): 6.3 А; Rси(вкл): 0.98 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Pрасс: 90 Вт

Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 525 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 980 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 850 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 850 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 34 нКл, Рассеиваемая мощность 90 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 525V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA , Ёмкость затвора 737 пФ

Наличие Отгрузка Цена с НДС Примечание Купить Сумма
нет в наличии
31,20 от 1 шт
+
0
Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.
Внимание! 'Отгрузка' не учитывает дни доставки, которые зависят от выбранного способа получения и адреса доставки.
Итого
0
0 шт

Характеристики

  • Корпус
    TO252
  • Конфигурация и полярность
    N
  • Максимальное напряжение сток-исток
    525 В
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
    6 А
  • Сопротивление открытого канала (мин)
    980 мОм
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min
    850 мОм
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max
    850 мОм
  • Диапазон номинальных напряжений затвора, min
    10 В
  • Диапазон номинальных напряжений затвора, max
    10 В
  • Максимальное напряжение затвора
    30 В
  • Заряд затвора
    34 нКл
  • Рассеиваемая мощность
    90 Вт
  • Примечание
    Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 525V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
  • Ёмкость затвора
    737 пФ

Ваш запрос на добавление технической информации по позиции STD7N52K3 поставлен в очередь на обработку. Как только запрос будет отработан, на вашу электронную почту придет оповещение.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 01.12.2022 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 01.12.2022 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.