STF15NM65N / ST Microelectronics
ST Microelectronics
Добавить к сравнению
TO220FP/N-channel 650 V, 0.35 O, 12 A second generation MDmesh Power MOSFET
Корпус TO220FP , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 380 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 380 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 380 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 25 В, Заряд затвора 33.3 нКл, Рассеиваемая мощность 30 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 983 пФ
| Наличие | Отгрузка | Цена с НДС | Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 8560 шт | — |
284,61
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO220FP
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток650 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса12 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)380 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min380 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max380 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора25 В
-
Заряд затвора33.3 нКл
-
Рассеиваемая мощность30 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора983 пФ
