STF7N52K3 / ST Microelectronics
ST Microelectronics
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 525 В; Iс(25°C): 6.3 А; Rси(вкл): 0.98 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO220FULLPAK3 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 525 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 850 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 850 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 850 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 33 нКл, Рассеиваемая мощность 25 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 525V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 870 пФ
| Наличие | Отгрузка | Цена с НДС | Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 928 шт | — |
355,97
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO220FULLPAK3
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток525 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса6 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)850 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min850 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max850 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора33 нКл
-
Рассеиваемая мощность25 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 525V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора870 пФ