STGF10NC60KD / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор - Примечание: IGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:9A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:25W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes
Корпус TO220FP , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 9 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Время включения 17 нс, Время выключения 72 нс, Время восстановления диода 22 нс, Максимальная мощность 25 Вт, Заряд затвора 19 нКл, Тип входа стандартный , Примечание IGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:9A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:25W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes
Характеристики
-
КорпусTO220FP
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C9 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.5 В
-
Время включения17 нс
-
Время выключения72 нс
-
Время восстановления диода22 нс
-
Максимальная мощность25 Вт
-
Заряд затвора19 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеIGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:9A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:25W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes