STGW20V60DF / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 40 А, Напряжение насыщения К-Э 2.2 В, Время включения 38 нс, Время выключения 149 нс, Время восстановления диода 40 нс, Максимальная мощность 167 Вт, Заряд затвора 116 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C40 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.2 В
-
Время включения38 нс
-
Время выключения149 нс
-
Время восстановления диода40 нс
-
Максимальная мощность167 Вт
-
Заряд затвора116 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипTrench Field Stop
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel