STGWA80H65FB / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 650 , Ток коллектора максимальный при 25°C 120 А, Напряжение насыщения К-Э 2 В, Время включения 84 нс, Время выключения 280 нс, Максимальная мощность 469 Вт, Заряд затвора 414 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное650
-
Ток коллектора максимальный при 25°C120 А
-
Напряжение насыщения К-Э2 В
-
Время включения84 нс
-
Время выключения280 нс
-
Максимальная мощность469 Вт
-
Заряд затвора414 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипTrench Field Stop
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel