Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты
Фотография STH260N6F6-2 ST Microelectronics временно отсутствует

STH260N6F6-2 / ST Microelectronics

ST Microelectronics
Добавить к сравнению
транз: N-MOSFET 60V 180A <0,002Om

Корпус H2PAK2 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 180 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.4 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 2 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 2 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 183 нКл, Рассеиваемая мощность 300 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 75V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 11.8 нФ

Наличие Отгрузка Цена с НДС Примечание Купить Сумма
нет в наличии
0,00 от 1 шт
+
0
Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.
Внимание! 'Отгрузка' не учитывает дни доставки, которые зависят от выбранного способа получения и адреса доставки.
Итого
0
0 шт

Характеристики

  • Корпус
    H2PAK2
  • Конфигурация и полярность
    N
  • Максимальное напряжение сток-исток
    60 В
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
    180 А
  • Сопротивление открытого канала (мин)
    2.4 мОм
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min
    2 мОм
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max
    2 мОм
  • Диапазон номинальных напряжений затвора, min
    10 В
  • Диапазон номинальных напряжений затвора, max
    10 В
  • Максимальное напряжение затвора
    20 В
  • Заряд затвора
    183 нКл
  • Рассеиваемая мощность
    300 Вт
  • Примечание
    Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 75V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
  • Ёмкость затвора
    11.8 нФ

Ваш запрос на добавление технической информации по позиции STH260N6F6-2 поставлен в очередь на обработку. Как только запрос будет отработан, на вашу электронную почту придет оповещение.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 05.12.2022 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 05.12.2022 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.