STI22NM60N / ST Microelectronics
ST Microelectronics
Добавить к сравнению
Корпус TO262 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 16 А, Сопротивление открытого канала (мин) 220 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 220 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 220 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 44 нКл, Рассеиваемая мощность 125 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA , Ёмкость затвора 1.33 нФ
| Наличие | Отгрузка | Цена с НДС | Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 29 шт | — |
1 023,01
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO262
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса16 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)220 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min220 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max220 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора44 нКл
-
Рассеиваемая мощность125 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
-
Ёмкость затвора1.33 нФ