STI6N62K3 / ST Microelectronics
ST Microelectronics
Добавить к сравнению
Корпус TO262 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 620 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.2 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1.2 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.2 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 34 нКл, Рассеиваемая мощность 90 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 620V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA , Ёмкость затвора 875 пФ
| Наличие | Отгрузка | Цена с НДС | Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 154 шт | — |
239,30
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO262
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток620 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса5.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.2 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1.2 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1.2 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора34 нКл
-
Рассеиваемая мощность90 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 620V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
-
Ёмкость затвора875 пФ