STU10NM60N / ST Microelectronics
ST Microelectronics
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл
Корпус TO251 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 550 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 550 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 25 В, Заряд затвора 19 нКл, Рассеиваемая мощность 70 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA , Ёмкость затвора 540 пФ
| Наличие | Отгрузка | Цена с НДС | Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 9984 шт | — |
144,94
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO251
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса10 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)550 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min550 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max550 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора25 В
-
Заряд затвора19 нКл
-
Рассеиваемая мощность70 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
-
Ёмкость затвора540 пФ