STU8NM50N / ST Microelectronics

Добавить к сравнению

транз: N-MOSFET 500V 5A <0,79Om

Корпус TO251 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 790 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), min 790 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), max 790 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 14 нКл, Рассеиваемая мощность 45 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 0.79ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 , Ёмкость затвора 364 пФ

Наличие	Отгрузка	Цена с НДС	Купить	Сумма
8351 шт	—	296,41 от 1 шт	− +	0
Поиск по складам...
Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.
Внимание! 'Отгрузка' не учитывает дни доставки, которые зависят от выбранного способа получения и адреса доставки.
+ Показать еще предложения − Скрыть предложения

Итого

0 шт

Характеристики

Корпус

TO251
Конфигурация и полярность

N
Максимальное напряжение сток-исток

500 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса

5 А
Сопротивление открытого канала (мин)

790 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), min

790 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), max

790 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора, min

10 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max

10 В
Заряд затвора

14 нКл
Рассеиваемая мощность

45 Вт
Примечание

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 0.79ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Ёмкость затвора

364 пФ

STU8N65M5 (ST) STU95N3LLH6 (ST)

Ваш запрос на добавление технической информации по позиции STU8NM50N поставлен в очередь на обработку. Как только запрос будет отработан, на вашу электронную почту придет оповещение.