SN65HVD251DR / Texas Instruments
Не поставляется
Технические характеристики:
Корпус: SOIC-8-3.9
Кол-во каналов передачи данных: 1
Кратковременная импульсная защита: ±200 В
Диапазон питающих напряжений: 4.5…5.5 В
Ток собственного потребления: 65 мА
Совместимый по выводам аналог: PCA82C250
Диапазон рабочих температур: -40…125°C
Корпус SOIC8 , Кол-во каналов передачи данных 1 , Кратковременная импульсная защита, min -36 В, Кратковременная импульсная защита, max 36 В, Диапазон питающих напряжений, min 4.5 В, Диапазон питающих напряжений, max 5.5 В, Ток собственного потребления 65 мА, Совместимый по выводам аналог PCA82C250 , Диапазон рабочих температур -40 °C, Диапазон рабочих температур 125 °C, Примечание Interface Circuit, 1-Trnsvr, BICMOS, PDSO8
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Кол-во каналов передачи данных1
-
Кратковременная импульсная защита, min-36 В
-
Кратковременная импульсная защита, max36 В
-
Диапазон питающих напряжений, min4.5 В
-
Диапазон питающих напряжений, max5.5 В
-
Ток собственного потребления65 мА
-
Совместимый по выводам аналогPCA82C250
-
Диапазон рабочих температур-40 °C
-
Диапазон рабочих температур125 °C
-
ПримечаниеInterface Circuit, 1-Trnsvr, BICMOS, PDSO8
