2SC1923 / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 100 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 20 мА, Граничная рабочая частота 550 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность100 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Ток коллектора20 мА
-
Граничная рабочая частота550 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92