2SK3126 / Toshiba
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 450 В, Ток стока номинальный при 25°C 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 650 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 650 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 650 мОм, Рассеиваемая мощность 40 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 450V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 0 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток450 В
-
Ток стока номинальный при 25°C10 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)650 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min650 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max650 мОм
-
Рассеиваемая мощность40 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 10A I(D), 450V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET