GT50J325 / Toshiba
Добавить к сравнению
Тип упаковки-Tube (туба); Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement:
Корпус TO3P , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 50 А, Время включения 240 нс, Время выключения 430 нс, Максимальная мощность 240 Вт, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 3 шт | — |
1 828,67
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO3P
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C50 А
-
Время включения240 нс
-
Время выключения430 нс
-
Максимальная мощность240 Вт
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel