TK12A60D / Toshiba
хит
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 550 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 550 мОм, Рассеиваемая мощность 45 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 52 шт | — |
74,66
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса12 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)550 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min550 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max550 мОм
-
Рассеиваемая мощность45 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET