SI2306DS / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET Transistor Transistor Polarity:N
Корпус TO236 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 3.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 57 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 57 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 57 мОм, Рассеиваемая мощность 1.25 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C3.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)57 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min57 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max57 мОм
-
Рассеиваемая мощность1.25 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236