SI2308DS-T1-GE3 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Ток стока номинальный при 25°C 2 А, Рассеиваемая мощность 1.25 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Ток стока номинальный при 25°C2 А
-
Рассеиваемая мощность1.25 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET