Пополнение ассортимента полупроводниковых компонентов SUNCO

Ассортимент каталога ДКО Электронщик расширили популярные компоненты китайской компании SUNCO - крупного производителя с полным циклом производства дискретных полупроводниковых компонентов азиатского региона.

Диодные мосты для поверхностного монтажа DF10S и YBS3010 (рис. 1, таблица 1) предназначены для применения в двухполупериодных выпрямителях переменного тока импульсных источников питания (в том числе адаптеров и зарядных устройств), драйверах систем освещения, бытовой технике, офисном оборудовании и телекоммуникационных приложениях.

 
Рис. 1. Внешний вид и устройство диодных мостов DF10S (а) и YBS3010 (б)

Таблица 1. Основные параметры диодных мостов DF10S и YBS3010

Высокоскоростной диод 1N4448WS обладает следующими характеристиками:

• Обратное напряжение V_R, В: 75;
• Емкость перехода (f = 1МГц), пФ: 4;
• Максимальное время восстановления (I_F = 10 мА, I_rr = 0.1 I_R, R_L = 100 Ом), нс: 4;
• Средний прямой ток I_FAV, А: 0.25;
• Пиковый ток I_FSM, А: 2;
• Рассеиваемая мощность Ptot, мВ: 200;
• Корпус SOD-323 (рис. 2.).

Рис. 2. Диод 1N4448WS производства компании SUNCO в корпусе SOD-323

N-канальный MOSFET YJL02N10A в корпусе SOT-23 (рис. 3.) имеет следующие основные параметры:

• Напряжение пробоя «сток-исток» BV_DSS, В: 100;
• Максимальный ток I_D, А: 2 (T_A = 25°C), 1.6 (T_A = 70°C);
• Импульсный ток I_DM, А: 8;
• Максимальное напряжение затвора V_GS, В: ±20;
• Пороговое напряжение затвора Vth, В: 1.1...2.5 (типовое 1.8);
• Номинальное сопротивление перехода R_DS(ON), мОм: 260 (V_GS = 4.5 В, I_D = 1 А);
• Общий заряд затвора Qg, нКл: 9.56;
• Время задержки включения/выключения, нс: 4/13.2.

Рис. 3. Транзистор YJL02N10A производства компании SUNCO в корпусе SOT-23

Производители: SUNCO

Разделы: Диоды выпрямительные, Полевые транзисторы, Диодные мосты

Опубликовано: 01.11.2025