Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты
Высоковольтные транзисторы CoolGaN™ от Infineon для источников питания

Высоковольтные транзисторы CoolGaN™ от Infineon для источников питания

IGT60R070D1 – это транзисторы семейства CoolGaN от Infineon с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия. Новая технология CoolGaN обеспечивает высокую эффективность, максимальную надежность и необходимую плотность мощности конечного продукта.

Транзисторы IGT60R070D1 являются нормально закрытыми и работают аналогично обычным кремниевым MOSFET при применении драйверов, учитывающих специфику управления затворами GaN HEMT.

Серия CoolGaN обеспечивает КПД системы до 98 % и имеют высокий показатель качества FOM (Rds(on) x Qg), что дает конкурентные преимущества разрабатываемым устройствам.

Транзисторы можно использовать в топологиях с жесткой и мягкой коммутацией, например для корректоров коэффициента мощности с функциями выпрямителя, в высокоскоростных резонансных преобразователях (рис. 1).

Особенности IGT60R070D1:

  • Нормально закрытые GaN-транзисторы с улучшенной структурой работающие в режиме обогащения;
  • Ультрабыстрое переключение;
  • Нет заряда обратного восстановления;
  • Низкий заряд затвора, низкий выходной заряд;
  • Высокая надежность коммутации;
  • Отлично подходит для жестких и мягких топологий коммутации;
  • Корпус для поверхностного монтажа позволяет достичь максимальных результатов для технологии CoolGaN;
  • Простота использования с доступным ассортиментом драйверов;
  • Квалифицирован для промышленных применений в соответствии со стандартами JEDEC (JESD47 и JESD22).


Технические характеристики IGT60R070D1:

  • Напряжение исток-сток VDS, max: 600 В;
  • Максимальный ток стока ID: 31 А (25 °С);
  • Максимальный импульсный ток стока ID,pulse: 60 А;
  • Сопротивление открытого транзистора, макс RDS(on), max: 70 мОм;
  • Полный заряд затвора, QG, typ: 5,8 нКл;
  • Выходной заряд Qoss: 41 нКл (400 В);
  • Заряд восстановления диода Qrr: 0




Рисунок 1. Пример применения CoolGaN-транзисторов

Производители: Infineon

Разделы: Полевые транзисторы

Опубликовано: 05.12.2018

Товары

IGT60R070D1ATMA1 IGT60R070D1ATMA1 (INFIN)
3 226,47
4355 шт
нет в наличии
+
  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень