Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты
IGBT для систем зажигания

IGBT для систем зажигания

Компания IXYS предлагает IGBT Ignition серии LGD8201, оптимизированные для драйверов катушек индуктивности. N-канальные IGBT, управляемые логическим уровнем, имеют интегрированную защиту от электростатических разрядов и перенапряжения (рис. 1). LGD8201 обладают низким пороговым напряжением переключения для сопряжения силовых нагрузок с логическими или микропроцессорными устройствами. Также в транзисторах встроен ограничитель напряжения затвор-коллектор с температурной компенсацией, ограничивающий напряжение, приложенное к нагрузке.

LGD8201 Ignition IGBT производятся в компактном корпусе DPAK, занимающем небольшую площадь на печатной плате. Устройства сертифицированы по AEC-Q101 для использования в автомобильных приложениях.

Применение:

  • Системы зажигания;
  • Системы непосредственного впрыска топлива;
  • Приложения Coil On Plug (катушка на свече);
  • Приложения Driver-on-coil (драйвер на катушке).


Особенности:

  • Автомобильная квалификация: AEC-Q101;
  • Диодная защита затвор-эмиттер от электростатических разрядов;
  • Ограничение напряжения затвор-коллектор с температурной компенсацией;
  • Встроенная диодная защита от электростатического разряда;
  • Низкое пороговое напряжение для сопряжения силовых нагрузок с логическими или микропроцессорными устройствами;
  • Низкое напряжение насыщения;
  • Высокая устойчивость к импульсным токам; 
  • Дополнительные резисторы RG и RGE в цепи затвора;
  • Корпус DPAK имеет малую занимаемую площадь на плате


Технические параметры:

  • Напряжение коллектора-эмиттера (VCES): 400 В;
  • напряжение затвора-эмиттера (VGES): ±15 В;
  • Ток коллектора непрерывный (IC): 20 A;
  • Ток коллектора импульсный (IC): 50 A;
  • Ток затвора непрерывный (IG): 1 мА;
  • Ток затвора импульсный: 20 мА;
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
    • LGD8201ATI: 1.3 В;
    • LGD8201TH: 1.5 В;
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD):
    • LGD8201ATI: 125 Вт;
    • LGD8201TH: 115 Вт;
  • Рабочая температура перехода (Tj): -55…175 °C

 

Рис. 1. Схема LGD8201

Производители: Littelfuse

Разделы: IGBT транзисторы

Опубликовано: 10.01.2022

Товары

LGD8201ATI хит LGD8201ATI (LTL)
1 715 шт.
нет в наличии
+
добавить к сравнению
  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 18.05.2022 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 18.05.2022 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован.