Биполярные транзисторы - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

Биполярные транзисторы

Товары в наличии
Распродажа
Наименование
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Встроенное сопротивление в базовой цепи
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
Примечание

Фильтр×

Производитель:
PAN ×

Найдено: 61

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Корпус	Тип проводимости и конфигурация	Комплементарная пара	Рассеиваемая мощность	Напряжение КЭ максимальное	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии	Ток коллектора	Граничная рабочая частота	Коэффициент усиления по току, min	Коэффициент усиления по току, max	Встроенное сопротивление в базовой цепи	Встроенное сопротивление в цепи БЭ	Примечание
2SA1133 (PAN) Выбрать →	29 шт.	от 21,37	4 дн.	—		—		—	—		—		—	—	—
2SB1322A (PAN) Выбрать →	63 шт.	от 21,37	4 дн.	—		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SC1226A (PAN) Выбрать →	50 шт.	от 61,01	4 дн.	—		—			—		—		—	—	—	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2SC1384R (PAN) Выбрать →	10 шт.	от 51,10	4 дн.	—		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC1573 (PAN) Выбрать →	1 шт.	от 155,85	4 дн.	—		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC1847 (PAN) Выбрать →	9 шт.	от 28,72	4 дн.	—		—			—				—	—	—	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2SC2188 (PAN) Выбрать →	231 шт.	от 7,98	4 дн.	—		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3743 (PAN) Выбрать →	6 шт.	от 70,47	4 дн.	—		—			—				—	—	—	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2SC3940A (PAN) хит Выбрать →	200 шт.	от 27,83	4 дн.	—		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC4953 (PAN) Выбрать →	18 шт.	от 95,07	4 дн.			—			—				—	—	—	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2SD1266AP (PAN) Выбрать →	1 шт.	от 259,38	4 дн.	—		—			—				—	—	—	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2SD1273P (PAN) Выбрать →	68 шт.	от 443,06	4 дн.	—		—			—				—	—	—	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2SD1330 (PAN) Выбрать →	53 шт.	от 24,27	4 дн.	—		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD638 (PAN) Выбрать →	55 шт.	от 14,03	4 дн.	—		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC5121 (PAN)	нет в наличии	—	—		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
2SC5686 (PAN)	нет в наличии	—	—		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
2SC5902 (PAN)	нет в наличии	—	—		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
2SC5904 (PAN)	нет в наличии	—	—		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
2SA720Q (PAN)	нет в наличии	—	—	—		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SB621A (PAN)	нет в наличии	—	—	—		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

12 3 4

Страница 1 из 4, показано 20 товаров из 61

Биполярные транзисторы – активные полупроводниковые компоненты, предназначенные для получения усиленной мощности сигнала при оптимальном значении управляющего напряжения на соответствующем p-n переходе.

В зависимости от технологии изготовления биполярные транзисторы делятся на два типа: тип p - n–p и тип n-p-n.

Наибольшее распространение в технике связи получили биполярные (кремниевые) транзисторы.

Основное назначение кремниевого транзистора в схеме с общим эмиттером состоит в усилении тока коллектора при заданном расчётном значении управляющего напряжения на p-n переходе эмиттер-база. Для кремниевого транзистора оптимальное значение рабочей точки на p-nпереходе между эмиттером и базой составляет 0,7 В.

Ключевыми в оценке работы транзисторов являются: альфа, бета и h-параметры.

Биполярные транзисторы получили широкое распространение и применение в научных целях, в области промышленного приборостроения, используются в технике связи и медицине.