Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%

Транзисторы и ключи

Транзисторы имеют три вывода. Их основное назначение это усиление сигнала. Транзисторы делятся на две большие группы: биполярные и полевые. Технология биполярных транзисторов базируется на n-p-n или p-n-p-переходах. В иностранной литературе они обозначаются BJT (bipolar junction transistor). В полевых транзисторах управление выходным током производится электрическим полем создаваемым затвором. В зависимости от технологии полевые транзисторы делятся на транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) и с изолированным затвором (МДП, МОП, MOSFET). В свою очередь транзисторы с изолированным затвором делятся на транзисторы с встроенным каналом или индуцированным. Комбинацией биполярных и полевых транзисторов являются биполярный транзистор с изолированным затвором БТИЗ (IGBT) и биполярные транзисторы со статической индукцией – БСИТ.

Для построения мощных силовых систем активные компоненты объединяют в общий конструктив – силовые модули. Модули содержат MOSFET, IGBT, тиристоры и диоды в различных комбинациях.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень