Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

RF СВЧ транзисторы

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип транзистора
  • Рабочая частота (ном)
  • Выходная мощность (ном)
  • Коэффициент усиления (мин)
  • Напряжение питания (ном)
Найдено: 226
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Отгрузка
Корпус
Тип транзистора
Рабочая частота (ном)
PD55003-E (ST)
+
8643 691,00 0 дн.
Немедленно
RF Power LDMOS, N-channel
PD55015-E (ST)
+
5905 1 350,00 0 дн.
Немедленно
RF Power LDMOS, N-channel
PD57006-E (ST)
+
114 970,00 0 дн.
Немедленно
RF Power LDMOS, N-channel
MMBFJ309LT1G (ONS)
+
543654 11,50 0 дн.
Немедленно
MMBF5484 (ONS-FAIR)
+
132947 9,50 0 дн.
Немедленно
MMBFJ310 (ONS-FAIR)
+
20788 4,90 0 дн.
Немедленно
SD57045 (ST) %
+
1196 4 900,00 0 дн.
Немедленно
RF Power LDMOS, N-channel
MRF1518NT1 (NXP/FRS)
+
24382 641,00 0 дн.
Немедленно
PD84001 (ST) %
+
66064 113,00 0 дн.
Немедленно
RF Power LDMOS, N-channel
BFU520WX (NXP)
+
387785 15,50 0 дн.
Немедленно
ERA-1SM+ (MINICIR)
+
116 203,00 0 дн.
Немедленно
MGA-71543-BLKG (BRO/AVAG) %
уведомить 0 дн.
Немедленно
MMBF5485 (ONS-FAIR) %
+
220363 6,00 0 дн.
Немедленно
PE4140-51 (PEREGRIN) %
+
499 309,00 0 дн.
Немедленно
RD07MVS1B-201 (MIT)
+
88 435,00 0 дн.
Немедленно
PD54008-E (ST) %
+
4032 827,00 0 дн.
Немедленно
RF Power LDMOS, N-channel
MW6S004NT1 (NXP/FRS)
+
12684 922,00 0 дн.
Немедленно
ERA-5SM+ (MINICIR)
+
42 517,00 0 дн.
Немедленно
NE3210S01-T1B (RENESAS)
+
115 163,00 0 дн.
Немедленно
RD01MUS1-T113 (MIT)
+
38 63,50 0 дн.
Немедленно

Высокочастотные и СВЧ-транзисторы предназначены для работы на частотах более 3 МГц. Они производятся по  биполярной и MOS-технологии. В последние десятилетия наиболее популярными стали транзисторы LDMOS. По сравнению с биполярными транзисторами они имеют большую линейность, усиление, термостабильность, эффективность, требуют меньшее количество внешних компонентов. Кроме транзисторов на основе кремния применяют и другие материалы: арсенид галлия, нитрид кремния, карбид кремния.

Маломощные транзисторы применяют в усилителях приемных трактов и быстродействующих схемах. По коэффициенту шума их разделяют на малошумящие, сверхмалошумящие и малосигнальные.

Мощные ВЧ и СВЧ-транзисторы широко применяют в выходных каскадах радиопередающего и радиолокационного оборудования, базовых и радиорелейных станций, в лазерном оборудовании, медицине и космической связи.

В ДКО Электронщик можно купить дискретные полупроводники мировых производителей: Infineon, ON Semiconductor и других.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень