Источники опорного напряжения- электронное устройство поддерживающее высокостабильное напряжение. В настоящее время распространены ИОН с применением следующих технологий:
• Стабилитроны с лавинным или туннельным типом пробоя. Существенно уменьшить шумы позволяет технология размещения стабилитрона вглубь кристалла, где неоднородности и дефекты кристалла менее значительны, чем у поверхности.
• Наиболее распространенная технология «Bandgap» использует пару биполярных транзисторов с противоположными температурными коэффициентами для взаимной компенсации.
• ИОН XFET построены на двух полевых транзисторах с разными напряжениями отсечки. Их схемотехника схожа с «Bandgap».
• Технология FGA применяемая компанией Intersil основана на длительном хранении заряда на затворе полевого транзистора. Недостатком данной технологии является высокая чувствительность к радиационному излучению.
По схеме включения источники опорного напряжения разделяются на две группы:
• Двухвыводные параллельные ИОН. Как и для стабилитронов, они включаются последовательно с резистором и параллельно нагрузке.
• Трехвыводные последовательные ИОН имеют отдельный вывод для выхода опорного напряжения. Потребляемый устройством ток зависит от входного напряжения, в отличие от предыдущего случая.
Для выбора ИОН в зависимости от требований нужно учитывать разные параметры. Основные из них:
• Опорное напряжение. Наиболее часто применяемые напряжения 1,24; 1,25; 2,048; 2,5; 3; 3,3; 4,096 и 5 В;
• Максимальный выходной ток;
• Диапазон входных напряжений (для трехвыводных приборов);
• Начальная точность установки напряжения;
• Температурный коэффициент напряжения;
• Долговременная нестабильность;
• Шум. Частотные диапазоны измерения: низкочастотный 0,1…10 Гц и широкополосный 10 Гц…1 кГц. ИОН применяются в ЦАП, АЦП, стабилизированных источниках питания, для установки режимов работы различных узлов, в качестве эталонов в измерительной технике.
В ДКО Электронщик можно купить источники опорного напряжения ведущих азиатских производителей.