Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
импорт списка
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Источники опорного напряжения

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Конфигурация опорного источника
  • Опорное напряжение
  • Начальная точность при 25°C
  • Диапазон входных напряжений
Найдено: 7918
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Срок
Корпус
Конфигурация опорного источника
Опорное напряжение
TL431ACDT (ST)
+
1318862 5,50 1 дн.
TL431ACZ-AP (ST)
+
931995 4,30 1 дн.
TL431ACZT (ST)
+
456559 7,40 1 дн.
TL431AIDT (ST)
+
1385807 5,50 1 дн.
TL431CDT (ST) %
+
1052913 5,50 1 дн.
TL431CZ (ST)
+
784258 6,20 1 дн.
TL431CZT (ST)
+
662727 6,80 1 дн.
TL431IDT (ST)
+
711643 6,60 1 дн.
LM4040AIM3-2.5+T (MAX) %
уведомить 1 дн.
MAX6012AEUR+T (MAX) %
уведомить 1 дн.
MAX6035BAUR25+T (MAX)
уведомить 1 дн.
MAX6126AASA25+ (MAX)
уведомить 1 дн.
MAX6138AEXR30+T (MAX) %
уведомить 1 дн.
MAX6190AESA+ (MAX) %
уведомить 1 дн.
MCP1525T-I/TT (MCRCH)
уведомить 1 дн.
MCP1541-I/TO (MCRCH)
уведомить 1 дн.
MCP1541T-I/TT (MCRCH)
уведомить 1 дн.
AD1582ARTZ-R2 (AD)
уведомить 1 дн.
AD1582ARTZ-REEL7 (AD)
уведомить 1 дн.
AD1582BRTZ-REEL7 (AD)
уведомить 1 дн.

Источники опорного напряжения- электронное устройство поддерживающее высокостабильное напряжение. В настоящее время распространены ИОН с применением следующих технологий:

• Стабилитроны с лавинным или туннельным типом пробоя. Существенно уменьшить шумы позволяет технология размещения стабилитрона вглубь кристалла, где неоднородности и дефекты кристалла менее значительны, чем у поверхности.

• Наиболее распространенная технология «Bandgap» использует пару биполярных транзисторов с противоположными температурными коэффициентами для взаимной компенсации.

• ИОН XFET, применяемые компанией Analog Devices, построены на двух полевых транзисторах с разными напряжениями отсечки. Их схемотехника схожа с «Bandgap».

• Технология FGA применяемая компанией Intersil основана на длительном хранении заряда на затворе полевого транзистора. Недостатком данной технологии является высокая чувствительность к радиационному излучению.

По схеме включения источники опорного напряжения разделяются на две группы:

• Двухвыводные параллельные ИОН. Как и для стабилитронов, они включаются последовательно с резистором и параллельно нагрузке.

• Трехвыводные последовательные ИОН имеют отдельный вывод для выхода опорного напряжения. Потребляемый устройством ток зависит от входного напряжения, в отличие от предыдущего случая.

Для выбора ИОН в зависимости от требований нужно учитывать разные параметры. Основные из них:

• Опорное напряжение. Наиболее часто применяемые напряжения 1,24; 1,25; 2,048; 2,5; 3; 3,3; 4,096 и 5 В; 

• Максимальный выходной ток; 

• Диапазон входных напряжений (для трехвыводных приборов);

• Начальная точность установки напряжения;

• Температурный коэффициент напряжения; 

• Долговременная нестабильность;

• Шум. Частотные диапазоны измерения: низкочастотный 0,1…10 Гц и широкополосный 10 Гц…1 кГц. ИОН применяются в ЦАП, АЦП, стабилизированных источниках питания, для установки режимов работы различных узлов, в качестве эталонов в измерительной технике.

В ДКО Электронщик можно купить источники опорного напряжения мировых лидеров: Texas Instruments, ON Semiconductor, NXP, Maxim Integrated, Fairchild, Linear, NSC и др.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень