Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Источники опорного напряжения

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Конфигурация опорного источника
  • Опорное напряжение
  • Диапазон входных напряжений
Найдено: 7524
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Срок
Корпус
Конфигурация опорного источника
Опорное напряжение
LM285D-1-2 (TI)
+
63007 32,50 1 дн.
LM285DR-1-2 (TI)
+
92241 26,20 1 дн.
LM285DR-2-5 (TI)
+
131096 28,40 1 дн.
LM334M/NOPB (TI)
+
38846 54,00 1 дн.
LM334Z/NOPB (TI)
+
116993 40,70 1 дн.
LM385M3-1.2/NOPB (TI)
+
97808 54,00 1 дн.
LM4040A41IDBZR (TI) %
+
25843 61,50 1 дн.
LM4040AIM3-2.5/NOPB (TI)
+
68022 105,00 1 дн.
LM4040AIM3-4.1/NOPB (TI)
+
52312 98,00 1 дн.
LM4040BIM3-2.5/NOPB (TI)
+
87146 64,00 1 дн.
LM4040C25IDBZR (TI)
+
62459 31,10 1 дн.
LM4040C30IDBZR (TI)
+
107570 24,30 1 дн.
LM4040D20IDBZR (TI) %
+
71395 7,10 1 дн.
LM4040D30IDBZR (TI)
+
124489 19,10 1 дн.
LM4040D50IDBZR (TI)
+
60264 34,30 1 дн.
LM4120AIM5-2.5/NOPB (TI)
+
23550 119,00 1 дн. Последовательное включение
LM4120AIM5-3.3/NOPB (TI)
+
29892 96,00 1 дн. Последовательное включение
LM431AIM3/NOPB (TI)
+
111796 29,00 1 дн.
LM431BIM3/NOPB (TI)
+
177356 28,90 1 дн.
LM431BIM3X/NOPB (TI)
+
63734 29,80 1 дн.

Источники опорного напряжения- электронное устройство поддерживающее высокостабильное напряжение. В настоящее время распространены ИОН с применением следующих технологий:

• Стабилитроны с лавинным или туннельным типом пробоя. Существенно уменьшить шумы позволяет технология размещения стабилитрона вглубь кристалла, где неоднородности и дефекты кристалла менее значительны, чем у поверхности.

• Наиболее распространенная технология «Bandgap» использует пару биполярных транзисторов с противоположными температурными коэффициентами для взаимной компенсации.

• ИОН XFET, применяемые компанией Analog Devices, построены на двух полевых транзисторах с разными напряжениями отсечки. Их схемотехника схожа с «Bandgap».

• Технология FGA применяемая компанией Intersil основана на длительном хранении заряда на затворе полевого транзистора. Недостатком данной технологии является высокая чувствительность к радиационному излучению.

По схеме включения источники опорного напряжения разделяются на две группы:

• Двухвыводные параллельные ИОН. Как и для стабилитронов, они включаются последовательно с резистором и параллельно нагрузке.

• Трехвыводные последовательные ИОН имеют отдельный вывод для выхода опорного напряжения. Потребляемый устройством ток зависит от входного напряжения, в отличие от предыдущего случая.

Для выбора ИОН в зависимости от требований нужно учитывать разные параметры. Основные из них:

• Опорное напряжение. Наиболее часто применяемые напряжения 1,24; 1,25; 2,048; 2,5; 3; 3,3; 4,096 и 5 В; 

• Максимальный выходной ток; 

• Диапазон входных напряжений (для трехвыводных приборов);

• Начальная точность установки напряжения;

• Температурный коэффициент напряжения; 

• Долговременная нестабильность;

• Шум. Частотные диапазоны измерения: низкочастотный 0,1…10 Гц и широкополосный 10 Гц…1 кГц. ИОН применяются в ЦАП, АЦП, стабилизированных источниках питания, для установки режимов работы различных узлов, в качестве эталонов в измерительной технике.

В ДКО Электронщик можно купить источники опорного напряжения мировых лидеров: Texas Instruments, ON Semiconductor, NXP, Maxim Integrated, Fairchild, Linear, NSC и др.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень