Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
импорт списка
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

IGBT транзисторы

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Напряжение К-Э максимальное
  • Ток коллектора максимальный при 25°C
  • Напряжение насыщения К-Э
Найдено: 3462
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Срок
Корпус
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
STGB10NB37LZT4 (ST)
+
31418 135,00 1 дн.
STGD18N40LZT4 (ST) хит
+
98663 83,50 1 дн.
STGD3NB60SDT4 (ST)
+
50875 48,50 1 дн.
STGF10NB60SD (ST)
+
64563 95,00 1 дн.
STGF19NC60HD (ST)
+
28618 113,00 1 дн.
STGP10NC60KD (ST)
+
90499 68,00 1 дн.
STGP19NC60HD (ST)
+
56523 107,00 1 дн.
STGP20NC60V (ST) %
+
29763 49,00 1 дн.
STGP6NC60HD (ST)
+
102920 55,50 1 дн.
STGW30NC120HD (ST)
+
24808 225,00 1 дн.
STGW30NC60WD (ST) хит %
+
25308 103,00 1 дн.
STGW39NC60VD (ST) хит
+
23631 170,00 1 дн.
STGW45HF60WD (ST)
+
1563 172,00 1 дн.
IEWS20R5135IPBXKLA1 (INFIN)
+
5467 404,00 1 дн.
IHW30N120R5XKSA1 (INFIN)
+
16418 206,00 1 дн.
IKB30N65EH5ATMA1 (INFIN)
+
14900 586,02 1 дн.
IKB30N65ES5ATMA1 (INFIN)
+
14050 145,30 1 дн.
IKW40N120CS6XKSA1 (INFIN)
+
8195 500,00 1 дн.
IRG4BC20UDPBF (INFIN) %
+
30342 60,00 1 дн.
IRG4BC30UDPBF (INFIN)
+
34260 176,00 1 дн.

IGBT транзисторы – активные полупроводниковые компонентные сборки, сочетающие в себе свойства биполярных и полевых транзисторов. Они предназначены для усиления мощности на коллекторепри оптимальном расчётном значении управляющего напряжения на изолированном затворе.

IGBT транзисторы имеют три вывода и выполняют интегрированные функции двух транзисторных каскадов: первого каскада - на основе полевого транзистора, и второго каскада – на основе биполярного транзистора.

IGBT транзисторы отличаются от обычных биполярных транзисторов высокой скоростью переключения в режим насыщения при незначительном управляющем значении потенциала поданного на изолированный затвор. Это свойство является особо ценным при использовании IGBT в качестве переключающих элементов (ключей) в силовых установках.

IGBT транзисторы находят своё применение в системах энергообеспечения на железнодорожном транспорте, медицине и энергетике.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень