Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Внимание! 7 декабря с 11:30 (МСК), в связи с переездом центрального офиса, все подразделения и системы компании работать не будут. Работа офисов и отгрузка заказов возобновится в понедельник 10 декабря.
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

IGBT транзисторы

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Напряжение К-Э максимальное
  • Ток коллектора максимальный при 25°C
  • Напряжение насыщения К-Э
Найдено: 3457
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Срок
Корпус
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
STGB10NB37LZT4 (ST) хит
+
1905 89,00 1 дн.
STGD18N40LZT4 (ST)
+
2365 85,50 1 дн.
STGF10NB60SD (ST)
+
1 114,00 1 дн.
STGF19NC60HD (ST)
+
76 127,00 1 дн.
STGP20NC60V (ST) %
+
567 52,50 1 дн.
STGP6NC60HD (ST)
+
1164 58,00 1 дн.
STGW30NC60WD (ST)
+
329 200,00 1 дн.
STGW39NC60VD (ST)
+
42 173,00 1 дн.
STGW45HF60WD (ST)
+
2106 218,00 1 дн.
IRG4BC20UDPBF (INFIN)
+
2137 113,00 1 дн.
IRG4BC30FDPBF (INFIN)
+
288 203,00 1 дн.
IRG4BC30UDPBF (INFIN) хит
+
387 208,00 1 дн.
IRG4BC40FPBF (INFIN)
+
300 223,00 1 дн.
IRG4BC40UPBF (INFIN)
+
906 174,00 1 дн.
IRG4PC40KDPBF (INFIN)
+
30 338,00 1 дн.
IRG4PC40UDPBF (INFIN)
+
4192 213,00 1 дн.
IRG4PC40UPBF (INFIN) %
+
236 68,50 1 дн.
IRG4PC40WPBF (INFIN)
+
281 229,00 1 дн.
IRG4PC50FDPBF (INFIN)
+
4277 529,00 1 дн.
IRG4PC50SPBF (INFIN)
+
1245 404,00 1 дн.

IGBT транзисторы – активные полупроводниковые компонентные сборки, сочетающие в себе свойства биполярных и полевых транзисторов. Они предназначены для усиления мощности на коллекторепри оптимальном расчётном значении управляющего напряжения на изолированном затворе.

IGBT транзисторы имеют три вывода и выполняют интегрированные функции двух транзисторных каскадов: первого каскада - на основе полевого транзистора, и второго каскада – на основе биполярного транзистора.

IGBT транзисторы отличаются от обычных биполярных транзисторов высокой скоростью переключения в режим насыщения при незначительном управляющем значении потенциала поданного на изолированный затвор. Это свойство является особо ценным при использовании IGBT в качестве переключающих элементов (ключей) в силовых установках.

IGBT транзисторы находят своё применение в системах энергообеспечения на железнодорожном транспорте, медицине и энергетике.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень