Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

IGBT транзисторы

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Напряжение К-Э максимальное
  • Ток коллектора максимальный при 25°C
  • Напряжение насыщения К-Э
  • Время включения
  • Время выключения
  • Время восстановления диода
  • Максимальная мощность
  • Заряд затвора
  • Тип входа
  • Тип
  • Примечание
Найдено: 5045
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Количество
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
STGP19NC60HD (ST) 2 881 шт. от 129,00 0 дн.
Немедленно
GT50JR22 (TOS) хит 7 973 шт. от 92,00 0 дн.
Немедленно
DG15X12T2 (STARPWR) хит 12 911 шт. от 81,50 0 дн.
Немедленно
DG10X06T1 (STARPWR) хит 4 116 шт. от 66,50 0 дн.
Немедленно
DG15X06T1 (STARPWR) хит % 3 944 шт. от 42,20 0 дн.
Немедленно
DG40F12T2 (STARPWR) хит 4 708 шт. от 186,00 0 дн.
Немедленно
DG40X12T2 (STARPWR) 9 039 шт. от 234,00 0 дн.
Немедленно
DG50Q12T2 (STARPWR) % 4 637 шт. от 286,00 0 дн.
Немедленно
DG50X06T2 (STARPWR) % 7 890 шт. от 177,00 0 дн.
Немедленно
DG75Q12T2 (STARPWR) % 4 154 шт. от 414,00 0 дн.
Немедленно
DG75X12T2 (STARPWR) 916 шт. от 567,00 0 дн.
Немедленно
DG40Q12T2LZ (STARPWR) % 2 088 шт. от 197,00 0 дн.
Немедленно
IEWS20R5135IPBXKLA1 (INFIN)
не поставляется
IGW50N60H3 (INFIN)
не поставляется
IKW50N65SS5XKSA1 (INFIN)
не поставляется
IRG4BC30FD (INFIN)
не поставляется
IRG4PC50U (INFIN)
не поставляется
IRG4PC40U (INFIN)
не поставляется
IRG4BC30UD (INFIN)
не поставляется
IRG4PH50K (INFIN)
не поставляется

IGBT транзисторы – активные полупроводниковые компонентные сборки, сочетающие в себе свойства биполярных и полевых транзисторов. Они предназначены для усиления мощности на коллекторепри оптимальном расчётном значении управляющего напряжения на изолированном затворе.

IGBT транзисторы имеют три вывода и выполняют интегрированные функции двух транзисторных каскадов: первого каскада - на основе полевого транзистора, и второго каскада – на основе биполярного транзистора.

IGBT транзисторы отличаются от обычных биполярных транзисторов высокой скоростью переключения в режим насыщения при незначительном управляющем значении потенциала поданного на изолированный затвор. Это свойство является особо ценным при использовании IGBT в качестве переключающих элементов (ключей) в силовых установках.

IGBT транзисторы находят своё применение в системах энергообеспечения на железнодорожном транспорте, медицине и энергетике.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 16.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 16.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.