Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Полевые транзисторы

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Конфигурация и полярность
  • Максимальное напряжение сток-исток
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
  • Сопротивление открытого канала (мин)
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
  • Диапазон номинальных напряжений затвора
  • Максимальное напряжение затвора
  • Заряд затвора
  • Рассеиваемая мощность
  • Примечание
  • Ёмкость затвора
  • Особенности
Найдено: 33301
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
BSS138 (YJ) хит 691 946 шт. от 4,41 0 дн.
Немедленно
C3M0030090K (CREE PWR) % 395 шт. от 2 340,00 0 дн.
Немедленно
BSS84W-7-F (DIODES) 438 843 шт. от 3,00 0 дн.
Немедленно
DMP2035U-7 (DIODES) 363 416 шт. от 7,00 0 дн.
Немедленно
100N03A (YOUTAI) 49 709 шт. от 15,00 0 дн.
Немедленно
15N10 (YOUTAI) 87 450 шт. от 15,00 0 дн.
Немедленно
20N06 (YOUTAI) 27 291 шт. от 14,00 0 дн.
Немедленно
25N06 (YOUTAI) 13 260 шт. от 14,00 0 дн.
Немедленно
2N7002B (YOUTAI) 69 915 шт. от 2,00 0 дн.
Немедленно
2N7002K-T1-GE3 (VISHAY) 406 491 шт. от 2,00 0 дн.
Немедленно
30N06 (YOUTAI) 95 034 шт. от 14,00 0 дн.
Немедленно
AO3400A (YOUTAI) хит 1 115 917 шт. от 1,00 0 дн.
Немедленно
AO3401A (YOUTAI) хит 794 232 шт. от 1,00 0 дн.
Немедленно
AO3407A (YOUTAI) хит 573 241 шт. от 2,00 0 дн.
Немедленно
FDN304P (YOUTAI) хит 181 737 шт. от 3,00 0 дн.
Немедленно
IRLML6401 (YOUTAI) 143 842 шт. от 3,00 0 дн.
Немедленно
IRLML6402 (YOUTAI) хит 30 676 шт. от 3,00 0 дн.
Немедленно
SI1026X-T1-GE3 (VISHAY) % 24 930 шт. от 15,00 0 дн.
Немедленно
SI2301BDS-T1-E3 (VISHAY) 84 601 шт. от 18,00 0 дн.
Немедленно
SI2301CDS-T1-GE3 (VISHAY) 514 604 шт. от 3,00 0 дн.
Немедленно

Общее описание

MOSFET - это один из типов транзисторов – полевой транзистор с изолированным затвором. В русском языке принято сокращение МОП или МДП-транзистор. Здесь затвор изолирован от канала слоем диэлектрика – двуокисью кремния. MOSFET транзисторы с встроенным каналом открыты при нулевом напряжении на затворе в отличие от приборов с индуцированным каналом для открывания которых требуется приложить напряжение больше напряжения отпирания.

Наибольшую популярность получили MOSFET транзисторы с индуцированным N-каналом для управления которыми требуется положительный потенциал относительно истока, но и P-канальные транзисторы тоже востребованы в ряде случаев.

Работа MOSFET транзисторов

В отличие от биполярных транзисторов, управляемых током, полевые управляются потенциалом. Основные преимущества MOSFET транзисторов: меньшие потери на управление, более высокая скорость переключения, положительная температурная зависимость сопротивления открытого канала от температуры, отсутствие вторичного пробоя.

Выбор MOSFET транзисторов

Основными параметрами для выбора MOSFET транзисторов являются:

  • максимальное напряжение сток-исток, V(BR)DSS;
  • ток стока номинальный, ID;
  • сопротивление открытого канала, Rds(on);
  • рассеиваемая мощность, PD;
  • заряд затвора, Qg

Выбор типа канала, максимального напряжения, тока и рассеиваемой мощности определяется конкретными требованиями применяемого схемотехнического решения. При работе в ключевом режиме важным параметром является сопротивление открытого канала, оно определяет потери в статическом режиме. Величина заряда затвора определяет выбор управляющих цепей для обеспечения требуемого быстродействия. Управляющее напряжение MOSFET транзисторов обычно составляет 10-15 В, максимально допустимое 20-30 В. Для управления от цифровых устройств производят транзисторы с пониженным напряжением отпирания – MOSFET с логическим управлением.

Конструкция MOSFET транзисторов

MOSFET транзисторы выпускаются в различных типах корпусов, начиная от миниатюрных типоразмера 0402 (1,0 x 0,6 мм) и до TO-274. Имеются сборки их двух транзисторов или транзистор и диод Шоттки в популярных корпусах SOIC-8.

Купить MOSFET транзисторы

В ДКО Электронщик можно купить MOSFET-транзисторы мировых лидеров Fairchild, Infineon, NXP, ON Semiconductor, ST Microelectronics, TOSHIBA, Vishay.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 28.01.2023 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 28.01.2023 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.