Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Полевые транзисторы

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Конфигурация и полярность
  • Максимальное напряжение сток-исток
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Найдено: 33270
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Срок
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
CSD19531KCS (TI) хит
+
26437 124,00 1 дн.
CSD19536KCS (TI)
+
4096 333,00 1 дн.
IRF630 (ST)
+
132854 26,00 1 дн.
STB13NM60N (ST)
+
40058 90,50 1 дн.
STB14NK50ZT4 (ST)
+
42592 72,50 1 дн.
STB21NM60ND (ST)
+
14362 211,00 1 дн.
STB32N65M5 (ST)
+
9735 583,00 1 дн.
STB35NF10T4 (ST) %
+
93450 18,80 1 дн.
STB40NF20 (ST) %
+
31881 58,50 1 дн.
STB60NF06T4 (ST) %
+
76243 32,60 1 дн.
STB6NK60ZT4 (ST)
+
99073 54,50 1 дн.
STB7NK80ZT4 (ST)
+
93918 78,00 1 дн.
STB80N20M5 (ST) %
+
17125 124,00 1 дн.
STB9NK50ZT4 (ST) хит
+
66740 39,90 1 дн.
STD10NM60N (ST)
+
25838 66,50 1 дн.
STD12NF06LT4 (ST)
+
66512 38,60 1 дн.
STD15NF10T4 (ST)
+
49142 31,70 1 дн.
STD16NF06T4 (ST) хит %
+
55395 10,60 1 дн.
STD17NF03LT4 (ST)
+
172681 17,60 1 дн.
STD18N55M5 (ST)
+
48118 143,00 1 дн.

Общее описание

MOSFET - это один из типов транзисторов – полевой транзистор с изолированным затвором. В русском языке принято сокращение МОП или МДП-транзистор. Здесь затвор изолирован от канала слоем диэлектрика – двуокисью кремния. MOSFET транзисторы с встроенным каналом открыты при нулевом напряжении на затворе в отличие от приборов с индуцированным каналом для открывания которых требуется приложить напряжение больше напряжения отпирания.

Наибольшую популярность получили MOSFET транзисторы с индуцированным N-каналом для управления которыми требуется положительный потенциал относительно истока, но и P-канальные транзисторы тоже востребованы в ряде случаев.

Работа MOSFET транзисторов

В отличие от биполярных транзисторов, управляемых током, полевые управляются потенциалом. Основные преимущества MOSFET транзисторов: меньшие потери на управление, более высокая скорость переключения, положительная температурная зависимость сопротивления открытого канала от температуры, отсутствие вторичного пробоя.

Выбор MOSFET транзисторов

Основными параметрами для выбора MOSFET транзисторов являются:

  • максимальное напряжение сток-исток, V(BR)DSS;
  • ток стока номинальный, ID;
  • сопротивление открытого канала, Rds(on);
  • рассеиваемая мощность, PD;
  • заряд затвора, Qg

Выбор типа канала, максимального напряжения, тока и рассеиваемой мощности определяется конкретными требованиями применяемого схемотехнического решения. При работе в ключевом режиме важным параметром является сопротивление открытого канала, оно определяет потери в статическом режиме. Величина заряда затвора определяет выбор управляющих цепей для обеспечения требуемого быстродействия. Управляющее напряжение MOSFET транзисторов обычно составляет 10-15 В, максимально допустимое 20-30 В. Для управления от цифровых устройств производят транзисторы с пониженным напряжением отпирания – MOSFET с логическим управлением.

Конструкция MOSFET транзисторов

MOSFET транзисторы выпускаются в различных типах корпусов, начиная от миниатюрных типоразмера 0402 (1,0 x 0,6 мм) и до TO-274. Имеются сборки их двух транзисторов или транзистор и диод Шоттки в популярных корпусах SOIC-8.

Купить MOSFET транзисторы

В ДКО Электронщик можно купить MOSFET-транзисторы мировых лидеров Fairchild, Infineon, NXP, ON Semiconductor, ST Microelectronics, TOSHIBA, Vishay.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень