Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Получение заказов на терминалах DPD в Москве, будет недоступно в Воскресенье(21.10.18) с 14:30 до 17:00, в связи с обновлением программного обеспечения.
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Модули силовые IGBT

  • Производитель
  • Наименование
  • Кол-во ключей в модуле
  • Напряжение К-Э
  • Рабочий ток при 25°C
Найдено: 3201
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Срок
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 (INFIN)
+
99 8 200,00 1 дн.
FF1400R12IP4BOSA1 (INFIN)
+
14 60 680,00 1 дн.
FF225R12ME4BOSA1 (INFIN)
+
80 10 230,00 1 дн.
FF300R12KE3HOSA1 (INFIN)
+
87 10 580,00 1 дн.
FF300R12KT4HOSA1 (INFIN) хит
+
157 8 940,00 1 дн.
FF300R12ME4BOSA1 (INFIN)
+
145 9 980,00 1 дн.
FF450R12KT4HOSA1 (INFIN)
+
131 14 170,00 1 дн.
FF450R12ME4BOSA1 (INFIN) %
+
92 10 850,00 1 дн.
FF650R17IE4DB2BOSA1 (INFIN) %
+
15 22 230,00 1 дн.
FF900R12IP4BOSA2 (INFIN) %
+
21 18 670,00 1 дн.
FP40R12KE3BOSA1 (INFIN) хит
+
286 6 540,00 1 дн.
FP75R12KE3BOSA1 (INFIN)
+
201 13 840,00 1 дн.
IRAM136-3063B (INFIN)
+
664 4 080,00 1 дн.
IRAMX16UP60B (INFIN)
+
28 1 760,00 1 дн.
SEMiX302GB066HDs (SMK) %
+
99 3 560,00 1 дн.
SEMiX453GB12E4s (SMK)
+
49 12 370,00 1 дн.
SEMiX604GB12E4s (SMK)
+
29 16 290,00 1 дн.
SEMiX604GB12Vs (SMK)
+
23 15 250,00 1 дн.
SEMiX653GB176HDs (SMK)
+
20 22 840,00 1 дн.
SKM100GB063D (SMK)
+
315 3 790,00 1 дн.

Общее описание

Силовые модули сочетают в одном корпусе кристаллы силовых транзисторов и диодов припаянные к металлизации изолирующей подложки хорошо проводящей тепло. Нижняя сторона подложки припаяна к медной пластине или прижата непосредственно к радиатору.

Преимущества и возможности IGBT-модулей

Применение IGBT-модулей позволяет сделать более компактной конструкцию изделия, улучшить его тепловой режим, свести к минимуму паразитные индуктивности, упростить монтаж, повысить надежность. Конструкция модуля рассчитана на установку его на радиатор нижней поверхностью с теплоотводящей подложкой и размещение сверху платы драйвера.

Наиболее часто применяемые топологии модулей это мост, трехфазный мост, полумост, чоппер (прерыватель), многоуровневый инвертор, одиночный транзистор или их различные сочетания, рассчитанные на применение в инверторах, преобразователях, электроприводах, сварочных аппаратах, источниках бесперебойного питания.

Основные технические параметры IGBT-модулей это рабочие напряжение и ток, топология, корпус. Условно модули можно разделить на три группы:

  • малой мощности – 600-1700 В, 10-200 А;
  • средней – 600-1700 В, 50-600 А;
  • большой –1200-6500 В, 200-3600 А.

IGBT-модули постоянно совершенствуются, применяются транзисторы и диоды последних поколений, новые технологии и материалы подведения энергии и отведения тепла, подключение внешних проводников пружинными контактами или запрессовкой. Помимо стандартных корпусов, используемых разными производителями, таких как 34mm и 62mm разрабатываются новые более компактные корпуса, облегчающие монтаж и параллельное включение нескольких приборов. Для улучшения теплоотвода выпускаются модули с уже нанесенными термопроводящими пастами (TIM – Thermal Interface Material) нового поколения.

В ДКО Электронщик можно купить силовые IGBT-модули таких всемирно известных производителей как Infineon, Semikron, IXIS.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень