Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Модули силовые IGBT

  • Производитель
  • Наименование
  • Кол-во ключей в модуле
  • Напряжение К-Э
  • Рабочий ток при 25°C
Найдено: 3191
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Срок
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
STGE200NB60S (ST)
+
1334 2 720,00 1 дн.
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 (INFIN) хит
+
92 7 530,00 1 дн.
BSM50GD120DN2 (INFIN)
+
3 11 810,00 1 дн.
FF200R12KS4HOSA1 (INFIN)
+
116 9 210,00 1 дн.
FF225R12ME4BOSA1 (INFIN)
+
90 13 420,00 1 дн.
FF300R12KE3HOSA1 (INFIN)
+
122 11 000,00 1 дн.
FF300R12KT4HOSA1 (INFIN)
+
148 8 290,00 1 дн.
FF300R12ME4BOSA1 (INFIN)
+
153 9 700,00 1 дн.
FF400R12KE3 (INFIN)
+
46 13 220,00 1 дн.
FF450R12KT4HOSA1 (INFIN)
+
149 12 830,00 1 дн.
FF450R12ME4BOSA1 (INFIN)
+
92 10 110,00 1 дн.
FP40R12KE3BOSA1 (INFIN) хит
+
383 6 090,00 1 дн.
FP75R12KE3BOSA1 (INFIN) хит
+
163 9 700,00 1 дн.
IRAM136-3063B (INFIN)
+
677 3 520,00 1 дн.
IRAMS10UP60B (INFIN) хит
+
233 1 420,00 1 дн.
IRAMS10UP60B-2 (INFIN)
+
1691 1 200,00 1 дн.
IRAMX16UP60B (INFIN)
+
29 1 720,00 1 дн.
SEMiX302GB066HDs (SMK) %
+
411 4 480,00 1 дн.
SEMiX303GB12E4s (SMK)
+
183 10 300,00 1 дн.
SEMiX453GB12E4s (SMK)
+
162 12 540,00 1 дн.

Общее описание

Силовые модули сочетают в одном корпусе кристаллы силовых транзисторов и диодов припаянные к металлизации изолирующей подложки хорошо проводящей тепло. Нижняя сторона подложки припаяна к медной пластине или прижата непосредственно к радиатору.

Преимущества и возможности IGBT-модулей

Применение IGBT-модулей позволяет сделать более компактной конструкцию изделия, улучшить его тепловой режим, свести к минимуму паразитные индуктивности, упростить монтаж, повысить надежность. Конструкция модуля рассчитана на установку его на радиатор нижней поверхностью с теплоотводящей подложкой и размещение сверху платы драйвера.

Наиболее часто применяемые топологии модулей это мост, трехфазный мост, полумост, чоппер (прерыватель), многоуровневый инвертор, одиночный транзистор или их различные сочетания, рассчитанные на применение в инверторах, преобразователях, электроприводах, сварочных аппаратах, источниках бесперебойного питания.

Основные технические параметры IGBT-модулей это рабочие напряжение и ток, топология, корпус. Условно модули можно разделить на три группы:

  • малой мощности – 600-1700 В, 10-200 А;
  • средней – 600-1700 В, 50-600 А;
  • большой –1200-6500 В, 200-3600 А.

IGBT-модули постоянно совершенствуются, применяются транзисторы и диоды последних поколений, новые технологии и материалы подведения энергии и отведения тепла, подключение внешних проводников пружинными контактами или запрессовкой. Помимо стандартных корпусов, используемых разными производителями, таких как 34mm и 62mm разрабатываются новые более компактные корпуса, облегчающие монтаж и параллельное включение нескольких приборов. Для улучшения теплоотвода выпускаются модули с уже нанесенными термопроводящими пастами (TIM – Thermal Interface Material) нового поколения.

В ДКО Электронщик можно купить силовые IGBT-модули таких всемирно известных производителей как Infineon, Semikron, IXIS.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень