Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Модули силовые IGBT

  • Производитель
  • Наименование
  • Внутренняя схема
  • Кол-во ключей в модуле
  • Напряжение К-Э
  • Рабочий ток при 25°C
  • Технология кристалла
Найдено: 3262
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Отгрузка
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
STGE200NB60S (ST)
+
2614 1 420,00 0 дн.
Немедленно
SEMiX302GAL12E4s (SMK)
+
224 8 970,00 0 дн.
Немедленно
SEMiX302GAR12E4s (SMK) %
+
164 5 860,00 0 дн.
Немедленно
SEMiX302GB066HDs (SMK) %
+
253 3 550,00 0 дн.
Немедленно
SEMiX604GB12E4s (SMK)
+
98 17 340,00 0 дн.
Немедленно
SKiiP13NAB065V1 (SMK) хит
+
29 3 110,00 0 дн.
Немедленно
SKiiP24NAB126V10 (SMK) хит
+
270 5 080,00 0 дн.
Немедленно
SKIIP28ANB16V1 (SMK)
+
284 5 710,00 0 дн.
Немедленно
SKiiP35NAB126V1 (SMK) хит
+
228 9 610,00 0 дн.
Немедленно
SKM100GAL12T4 (SMK) хит
+
556 4 000,00 0 дн.
Немедленно
SKM100GB063D (SMK) хит
+
37 3 490,00 0 дн.
Немедленно
SKM100GB12T4 (SMK)
+
692 3 270,00 0 дн.
Немедленно
SKM100GB176D (SMK) хит
+
504 3 610,00 0 дн.
Немедленно
SKM145GB066D (SMK) хит
+
496 4 780,00 0 дн.
Немедленно
SKM150GAL12T4 (SMK) хит
+
543 4 180,00 0 дн.
Немедленно
SKM195GB066D (SMK)
+
709 3 720,00 0 дн.
Немедленно
SKM195GB126D (SMK)
+
181 8 050,00 0 дн.
Немедленно
SKM200GB125D (SMK)
+
326 8 040,00 0 дн.
Немедленно
SKM200GB126D (SMK) %
+
232 5 420,00 0 дн.
Немедленно
SKM200GB12E4 (SMK)
+
212 6 770,00 0 дн.
Немедленно

Общее описание

Силовые модули сочетают в одном корпусе кристаллы силовых транзисторов и диодов припаянные к металлизации изолирующей подложки хорошо проводящей тепло. Нижняя сторона подложки припаяна к медной пластине или прижата непосредственно к радиатору.

Преимущества и возможности IGBT-модулей

Применение IGBT-модулей позволяет сделать более компактной конструкцию изделия, улучшить его тепловой режим, свести к минимуму паразитные индуктивности, упростить монтаж, повысить надежность. Конструкция модуля рассчитана на установку его на радиатор нижней поверхностью с теплоотводящей подложкой и размещение сверху платы драйвера.

Наиболее часто применяемые топологии модулей это мост, трехфазный мост, полумост, чоппер (прерыватель), многоуровневый инвертор, одиночный транзистор или их различные сочетания, рассчитанные на применение в инверторах, преобразователях, электроприводах, сварочных аппаратах, источниках бесперебойного питания.

Основные технические параметры IGBT-модулей это рабочие напряжение и ток, топология, корпус. Условно модули можно разделить на три группы:

  • малой мощности – 600-1700 В, 10-200 А;
  • средней – 600-1700 В, 50-600 А;
  • большой –1200-6500 В, 200-3600 А.

IGBT-модули постоянно совершенствуются, применяются транзисторы и диоды последних поколений, новые технологии и материалы подведения энергии и отведения тепла, подключение внешних проводников пружинными контактами или запрессовкой. Помимо стандартных корпусов, используемых разными производителями, таких как 34mm и 62mm разрабатываются новые более компактные корпуса, облегчающие монтаж и параллельное включение нескольких приборов. Для улучшения теплоотвода выпускаются модули с уже нанесенными термопроводящими пастами (TIM – Thermal Interface Material) нового поколения.

В ДКО Электронщик можно купить силовые IGBT-модули таких всемирно известных производителей как Infineon, Semikron, IXIS.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень