Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Уважаемые клиенты, внимание! 26 сентября с 22:00 до 24:00 по московскому времени работа системы будет ограничена в связи с профилактическими работами. Приносим свои извинения за доставленные неудобства.
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Организация памяти
  • Напряжение питания
  • Особенности
  • Рабочая температура
  • Время доступа
Найдено: 84711
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Количество
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
W25Q80DVSNIG (WINBOND) 169 953 шт. от 23,96 0 дн.
Немедленно
W25Q16JVSSIQ (WINBOND) хит 331 829 шт. от 32,65 0 дн.
Немедленно
W25Q80DVSSIG (WINBOND) 192 806 шт. от 23,83 0 дн.
Немедленно
W25Q80DVSNIG TR (WINBOND) % 35 436 шт. от 16,49 0 дн.
Немедленно
W25Q80DVSNIG/REEL (WINBOND) % 6 696 шт. от 21,54 0 дн.
Немедленно
W25Q80DVUXIE (WINBOND) 83 071 шт. от 85,79 0 дн.
Немедленно
ZD24C08A-SSGMB (ZETTA) 116 521 шт. от 1,89 0 дн.
Немедленно
ZD24C128A-SSGMB (ZETTA) 73 268 шт. от 4,55 0 дн.
Немедленно
ZD24C16A-SSGMB (ZETTA) % 103 035 шт. от 2,64 0 дн.
Немедленно
ZD24C256A-SSGMB (ZETTA) хит 71 735 шт. от 18,23 0 дн.
Немедленно
ZD24C32A-SSGMB (ZETTA) % 2 888 шт. от 12,19 0 дн.
Немедленно
ZD24C512A-SSGMB (ZETTA) 90 320 шт. от 46,98 0 дн.
Немедленно
ZD24C64A-SSGMB (ZETTA) 75 428 шт. от 9,66 0 дн.
Немедленно
ZD24C08A-STGMT (ZETTA) 66 414 шт. от 20,92 0 дн.
Немедленно
ZD24C64A-SSGMT (ZETTA) 35 163 шт. от 4,32 0 дн.
Немедленно
GD25Q16ETIGR (GIGADEV) хит 212 428 шт. от 23,02 0 дн.
Немедленно
GD25Q80ETIGR (GIGADEV) 207 114 шт. от 14,80 0 дн.
Немедленно
GD25WQ80ETIGR (GIGADEV) % 27 201 шт. от 19,87 0 дн.
Немедленно
ZD24C1MA-SSGMB (ZETTA) хит 108 093 шт. от 81,77 0 дн.
Немедленно
P24C02A-SSH-MIR (PUYA) 772 819 шт. от 3,36 0 дн.
Немедленно

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 25.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 25.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.