IGBT транзисторы
?page=3&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
-
Время включения
-
Время выключения
-
Время восстановления диода
-
Максимальная мощность
-
Заряд затвора
-
Тип входа
-
Тип
-
Примечание
Фильтр×
- ×
Найдено: 196
Вид:
| | | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DGW40N120CTH0 (YJ) | 4 320 шт. | от 266,20 |
40 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
 |
— |
| NCE50TD120BT (NCE) | 6 680 шт. | от 174,33 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE25TD120LT (NCE) | 5 200 шт. | от 84,00 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE40TD120LT (NCE) | 15 шт. | от 316,82 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE30TD120UT (NCE) | 300 шт. | от 193,45 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE50TD120VT (NCE) | 958 шт. | от 183,28 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE75TD120VTP (NCE) | 4 856 шт. | от 366,47 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE100TD120VTP (NCE) | 2 552 шт. | от 455,65 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE40TD120WT (NCE) | 11 200 шт. | от 130,23 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| DGW40N120CTLQ (YJ) | 4 140 шт. | от 332,13 |
13 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| DGW15N120CTL0B (YJ) | 11 520 шт. | от 104,25 |
40 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
 |
— | — | — |
| CGWT40N65F2KAD (JSCJ) | 14 100 шт. | от 81,09 |
50 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| CGWT80N65F2KAD (JSCJ) | 38 870 шт. | от 102,21 |
12 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| HGTG11N120CND-VB (VBSEMI) | 18 958 шт. | от 172,46 |
17 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | 1200V Trench and Fieldstop IGBT; TO-247 |
| FGH40N60SFDTU TO-247 (YIXING) хит | 710 шт. | от 131,14 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
600 V, 40 A Field Stop IGBT; TO-247 |
| CM600DU-24NF (MIT) | 5 шт. | от 78 659,50 |
7 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| MP6750 (TOS) | 26 шт. | от 11 460,90 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| CM100DU-34KA (MIT) | 96 шт. | от 12 207,80 |
20 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel |
| CM2400HCB-34N (MIT) | 4 шт. | от 151 132,00 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel |
| GT30J324 (TOS) | 3 шт. | от 436,37 |
6 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
igbt-tranzistory