IGBT транзисторы
?page=3&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
-
Время включения
-
Время выключения
-
Время восстановления диода
-
Максимальная мощность
-
Заряд затвора
-
Тип входа
-
Тип
-
Примечание
Фильтр×
- ×
Найдено: 182
Вид:
| | | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCE60TD65BT (NCE) | 10 061 шт. | от 85,85 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE50TD120BT (NCE) | 4 292 шт. | от 185,12 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE25TD120LT (NCE) | 2 600 шт. | от 83,12 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE40TD120LT (NCE) | 15 шт. | от 309,60 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE30TD120UT (NCE) | 150 шт. | от 181,87 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE50TD120VT (NCE) | 474 шт. | от 174,01 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE100TD120VTP (NCE) | 1 241 шт. | от 450,89 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE40TD120WT (NCE) | 5 600 шт. | от 115,67 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE50TD120WT (NCE) | 10 шт. | от 559,79 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| DGW40N120CTLQ (YJ) | 548 шт. | от 320,44 |
13 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| CGWT40N65F2KAD (JSCJ) | 20 шт. | от 132,01 |
13 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| CGWT80N65F2KAD (JSCJ) | 18 062 шт. | от 149,53 |
12 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| HGTG11N120CND-VB (VBSEMI) | 10 234 шт. | от 169,36 |
18 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | 1200V Trench and Fieldstop IGBT; TO-247 |
| FGH40N60SFDTU TO-247 (YIXING) хит | 296 шт. | от 126,20 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
600 V, 40 A Field Stop IGBT; TO-247 |
| CM600DU-24NF (MIT) | 6 шт. | от 67 563,40 |
7 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| MP6750 (TOS) | 13 шт. | от 10 662,40 |
20 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| CM100DU-34KA (MIT) | 98 шт. | от 11 295,10 |
30 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel |
| CM2400HCB-34N (MIT) | 4 шт. | от 175 376,00 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel |
| CM600HG-130H (MIT) | 4 шт. | от 165 428,00 |
3 дн. |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 6500V V(BR)CES, N-Channel |
| CM400DY-12NF (MIT) | 13 шт. | от 14 435,30 |
6 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
igbt-tranzistory