IGBT транзисторы
?page=6&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
-
Время включения
-
Время выключения
-
Время восстановления диода
-
Максимальная мощность
-
Заряд затвора
-
Тип входа
-
Тип
-
Примечание
Фильтр×
- ×
Найдено: 196
Вид:
| | | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RGTH00TS65DGC11 (ROHM) | 1 442 шт. | от 423,59 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RJP65T54DPM-A0#T2 (RENESAS) | 232 шт. | от 804,67 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| RJP65T43DPQ-A0#T2 (RENESAS) | 1 842 шт. | от 198,83 |
19 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGT30NS65DGTL (ROHM) | 5 266 шт. | от 137,34 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RJH60A83RDPN-E0#T2 (RENESAS) | 73 шт. | от 310,38 |
25 дн. |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
 |
— | — |
| RGT40TS65DGC11 (ROHM) | 2 718 шт. | от 401,72 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGTH40TS65DGC11 (ROHM) | 1 330 шт. | от 585,40 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGT40NS65DGTL (ROHM) | 11 444 шт. | от 201,55 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| FGM623S (SK) | 420 шт. | от 283,65 |
19 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
| FGM622S (SK) | 3 159 шт. | от 156,19 |
19 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
| RGTH60TS65DGC11 (ROHM) | 9 728 шт. | от 230,31 |
11 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGTH60TS65GC11 (ROHM) | 3 708 шт. | от 188,00 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGTH50TS65DGC11 (ROHM) | 1 026 шт. | от 338,42 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RJP60F0DPM-00#T1 (RENESAS) | 70 шт. | от 8 123,83 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
— |
| RGTH80TS65DGC11 (ROHM) | 2 120 шт. | от 484,15 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGT50TS65DGC11 (ROHM) | 1 164 шт. | от 244,77 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| CM1000DXL-24S (MIT) | 40 шт. | от 11 368,40 |
8 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES |
| CM100MXA-24S (MIT) | 6 шт. | от 27 214,50 |
8 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| NCE07TD60BD (NCE) | 1 056 шт. | от 25,76 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE07TD60BF (NCE) | 1 068 шт. | от 37,97 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
igbt-tranzistory