IGBT транзисторы
?page=3&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
-
Время включения
-
Время выключения
-
Время восстановления диода
-
Максимальная мощность
-
Заряд затвора
-
Тип входа
-
Тип
-
Примечание
Найдено: 5045
Вид:
| | | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DGW40N120CTH0 (YJ) | 3 600 шт. | от 282,88 |
17 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
 |
— |
| NCE50TD120BT (NCE) | 6 660 шт. | от 172,27 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE25TD120LT (NCE) | 5 200 шт. | от 84,46 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE40TD120LT (NCE) | 15 шт. | от 313,29 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE30TD120UT (NCE) | 300 шт. | от 197,20 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE50TD120VT (NCE) | 956 шт. | от 183,73 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE75TD120VTP (NCE) | 300 шт. | от 373,58 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE40TD120WT (NCE) | 11 200 шт. | от 130,96 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| DGW40N120CTLQ (YJ) | 4 124 шт. | от 338,30 |
13 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| DGW15N120CTL0B (YJ) | 3 600 шт. | от 110,78 |
18 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
 |
— | — | — |
| CGWT40N65F2KAD (JSCJ) | 600 шт. | от 83,54 |
20 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| CGWT80N65F2KAD (JSCJ) | 24 650 шт. | от 101,79 |
12 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| HGTG11N120CND-VB (VBSEMI) | 19 700 шт. | от 174,87 |
18 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | 1200V Trench and Fieldstop IGBT; TO-247 |
| FGH40N60SFDTU TO-247 (YIXING) хит | 675 шт. | от 129,78 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
600 V, 40 A Field Stop IGBT; TO-247 |
| CM600DU-24NF (MIT) | 5 шт. | от 79 681,20 |
7 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| MP6750 (TOS) | 26 шт. | от 11 168,60 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| CM2400HCB-34N (MIT) | 4 шт. | от 153 148,00 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel |
| GT30J324 (TOS) | 3 шт. | от 438,31 |
6 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| CM200DY-24NF (MIT) | 4 шт. | от 14 462,60 |
10 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| CM400DY-12NF (MIT) | 12 шт. | от 25 078,80 |
6 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
igbt-tranzistory