IGBT транзисторы
?page=6&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
-
Время включения
-
Время выключения
-
Время восстановления диода
-
Максимальная мощность
-
Заряд затвора
-
Тип входа
-
Тип
-
Примечание
Найдено: 5045
Вид:
| | | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RGTH00TS65DGC11 (ROHM) | 1 424 шт. | от 430,03 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RJP65T54DPM-A0#T2 (RENESAS) | 232 шт. | от 816,90 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| RJP65T43DPQ-A0#T2 (RENESAS) | 1 550 шт. | от 151,93 |
19 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGT30NS65DGTL (ROHM) | 3 510 шт. | от 137,45 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGT40TS65DGC11 (ROHM) | 2 660 шт. | от 229,15 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGTH40TS65DGC11 (ROHM) | 1 728 шт. | от 244,03 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGT40NS65DGTL (ROHM) | 9 178 шт. | от 158,99 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| FGM623S (SK) | 700 шт. | от 274,86 |
19 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
| FGM622S (SK) | 5 265 шт. | от 151,87 |
19 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
| RGTH60TS65DGC11 (ROHM) | 980 шт. | от 230,86 |
11 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGTH60TS65GC11 (ROHM) | 3 710 шт. | от 322,89 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGTH50TS65DGC11 (ROHM) | 848 шт. | от 290,16 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RJP60F0DPM-00#T1 (RENESAS) | 70 шт. | от 8 111,34 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
— |
| RGTH80TS65DGC11 (ROHM) | 590 шт. | от 376,97 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| RGT50TS65DGC11 (ROHM) | 1 164 шт. | от 248,49 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| CM1000DXL-24S (MIT) | 40 шт. | от 11 389,10 |
8 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES |
| CM100MXA-24S (MIT) | 6 шт. | от 27 263,90 |
8 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| NCE07TD60BD (NCE) | 1 044 шт. | от 25,82 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE07TD60BF (NCE) | 1 442 шт. | от 23,25 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE07TD60BK (NCE) | 14 240 шт. | от 20,21 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
igbt-tranzistory