IGBT транзисторы
?page=7&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
-
Время включения
-
Время выключения
-
Время восстановления диода
-
Максимальная мощность
-
Заряд затвора
-
Тип входа
-
Тип
-
Примечание
Найдено: 5045
Вид:
| | | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCE20TD60BF (NCE) | 276 шт. | от 47,07 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE20TH60BP (NCE) | 5 200 шт. | от 58,94 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE30TD60B (NCE) | 18 060 шт. | от 57,82 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE30TD60BD (NCE) | 44 962 шт. | от 50,13 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE30TD60BF (NCE) | 69 783 шт. | от 205,95 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE30TH60BP (NCE) | 300 шт. | от 71,11 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE40TD60BP (NCE) | 300 шт. | от 110,16 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE40TH60BP (NCE) | 11 200 шт. | от 80,98 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE20TD60B (NCE) | 1 913 шт. | от 263,83 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| NCE10TD60BD (NCE) | 5 680 шт. | от 38,19 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| CM75DY-34A (MIT) | 2 шт. | от 26 536,10 |
8 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel |
| CM600E2Y-34H (MIT) | 14 шт. | от 30 085,10 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel |
| RJH60F7DPQ-A0-T0 (RENESAS) | 7 шт. | от 329,49 |
2 дн. |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
| NCE15TD60B (NCE) | 10 000 шт. | от 34,01 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| CRGMF75T120FSC (CRMICRO) | 16 шт. | от 1 215,23 |
12 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| CRG40T60AN3H (CRMICRO) | 21 444 шт. | от 131,36 |
3 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| CRG60T60AK3HD (CRMICRO) | 6 222 шт. | от 217,08 |
4 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| CRG60T60AN3H (CRMICRO) | 14 073 шт. | от 281,24 |
3 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 7MBI50N-120 (FUJI) | 1 шт. | от 17 533,30 |
12 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| CM1200HG-66H (MIT) | 3 шт. | от 139 293,00 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel |
igbt-tranzistory