Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Память

  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Организация памяти
  • Напряжение питания
  • Особенности
  • Рабочая температура
  • Время доступа
Фильтр×
  • Производитель:
    ZETTA ×
Найдено: 172
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Количество
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
ZD24C08A-SSGMB (ZETTA) 157 891 шт. от 2,80 0 дн.
Немедленно
ZD24C128A-SSGMB (ZETTA) 118 898 шт. от 5,20 0 дн.
Немедленно
ZD24C256A-SSGMB (ZETTA) хит 112 215 шт. от 7,10 0 дн.
Немедленно
ZD24C32A-SSGMB (ZETTA) % 2 938 шт. от 4,00 0 дн.
Немедленно
ZD24C512A-SSGMB (ZETTA) 51 868 шт. от 12,10 0 дн.
Немедленно
ZD24C64A-SSGMB (ZETTA) 115 788 шт. от 4,10 0 дн.
Немедленно
ZD24C08A-STGMT (ZETTA) 75 846 шт. от 2,70 0 дн.
Немедленно
ZD24C64A-SSGMT (ZETTA) 44 873 шт. от 4,60 0 дн.
Немедленно
ZD24C1MA-SSGMB (ZETTA) хит 78 989 шт. от 27,20 0 дн.
Немедленно
ZD25Q64BSIGT (ZETTA) 87 739 шт. от 14,00 0 дн.
Немедленно
ZDND2G08U3D-IA (ZETTA) 4 005 шт. от 105,00 0 дн.
Немедленно
ZD35Q1GC-IB (ZETTA) хит 4 611 шт. от 88,50 0 дн.
Немедленно
ZD25LD40BEIGR (ZETTA) % 19 401 шт. от 4,70 0 дн.
Немедленно
ZD25Q80BSIGT (ZETTA) 44 060 шт. от 7,50 0 дн.
Немедленно
ZD25Q16CTIGT (ZETTA) 73 861 шт. от 7,80 0 дн.
Немедленно
ZDSD08GLGEAG (ZETTA) 10 047 шт. от 257,00 0 дн.
Немедленно
ZD25WQ32CTIGT (ZETTA) % 62 397 шт. от 13,40 0 дн.
Немедленно
ZD25WQ80CTIGT (ZETTA) 83 345 шт. от 5,70 0 дн.
Немедленно
ZDV4256M16A-13DPH (ZETTA) 458 шт. от 262,00 0 дн.
Немедленно
ZDV4256M16A-13IPH (ZETTA) 607 шт. от 528,00 0 дн.
Немедленно

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 04.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 04.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.