Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Память

  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Организация памяти
  • Напряжение питания
  • Особенности
  • Рабочая температура
  • Время доступа
Фильтр×
  • Производитель:
    ZETTA ×
Найдено: 172
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Количество
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
ZD24C08A-SSGMB (ZETTA) 116 476 шт. от 1,86 0 дн.
Немедленно
ZD24C128A-SSGMB (ZETTA) 73 168 шт. от 4,47 0 дн.
Немедленно
ZD24C16A-SSGMB (ZETTA) % 142 003 шт. от 2,60 0 дн.
Немедленно
ZD24C256A-SSGMB (ZETTA) хит 71 735 шт. от 17,98 0 дн.
Немедленно
ZD24C32A-SSGMB (ZETTA) % 2 888 шт. от 12,03 0 дн.
Немедленно
ZD24C512A-SSGMB (ZETTA) 90 836 шт. от 46,34 0 дн.
Немедленно
ZD24C64A-SSGMB (ZETTA) 80 804 шт. от 9,53 0 дн.
Немедленно
ZD24C08A-STGMT (ZETTA) 58 669 шт. от 20,63 0 дн.
Немедленно
ZD24C64A-SSGMT (ZETTA) 48 097 шт. от 4,29 0 дн.
Немедленно
ZD24C1MA-SSGMB (ZETTA) хит 107 597 шт. от 80,65 0 дн.
Немедленно
ZD25Q64BSIGT (ZETTA) 57 682 шт. от 97,52 0 дн.
Немедленно
ZDND2G08U3D-IA (ZETTA) 1 925 шт. от 108,00 0 дн.
Немедленно
ZD35Q1GC-IB (ZETTA) хит 4 539 шт. от 318,86 0 дн.
Немедленно
ZD25LD40BEIGR (ZETTA) % 13 401 шт. от 4,22 0 дн.
Немедленно
ZD25Q80BSIGT (ZETTA) 24 860 шт. от 17,98 0 дн.
Немедленно
ZD25Q16CTIGT (ZETTA) 53 856 шт. от 9,18 0 дн.
Немедленно
ZDSD08GLGEAG (ZETTA) 10 027 шт. от 427,40 0 дн.
Немедленно
ZD25WQ32CTIGT (ZETTA) % 48 847 шт. от 18,98 0 дн.
Немедленно
ZD25WQ80CTIGT (ZETTA) 63 273 шт. от 5,03 0 дн.
Немедленно
ZDV4256M16A-13DPH (ZETTA) 458 шт. от 376,40 0 дн.
Немедленно

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.