Полевые транзисторы
?page=2&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- Производитель:LRC ×
Найдено: 809
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| L2N7002KX4T5G (LRC) | 1 068 800 шт. | от 1,69 |
12 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| L2N7002M3T5G (LRC) | 1 057 238 шт. | от 1,60 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| L2N7002SDW1T1G (LRC) | 4 104 541 шт. | от 1,29 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| L2N7002SLT1G (LRC) | 12 441 798 шт. | от 0,09 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| L2N7002SWT1G (LRC) | 4 018 220 шт. | от 0,75 |
12 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| L2N7002WT1G (LRC) | 5 706 956 шт. | от 1,01 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| L2SK3018WT1G (LRC) | 3 292 204 шт. | от 1,10 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| L2SK3019LT1G (LRC) | 215 104 шт. | от 1,13 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| L2SK3541M3T5G (LRC) | 2 032 000 шт. | от 1,26 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| L2SK801LT1G (LRC) | 2 278 360 шт. | от 1,08 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | — | — |
| LBSS123LT1G (LRC) | 5 622 723 шт. | от 1,24 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| LBSS138DW1T1G (LRC) | 2 379 815 шт. | от 25,16 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| LBSS138WT1G (LRC) | 5 388 094 шт. | от 1,31 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| LBSS139DW1T1G (LRC) | 2 776 640 шт. | от 1,68 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| LBSS139TT1G (LRC) | 2 040 000 шт. | от 1,21 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| LBSS139WT1G (LRC) | 440 016 шт. | от 1,33 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| LBSS260DW1T1G (LRC) | 2 035 054 шт. | от 1,87 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| LBSS84DW1T1G (LRC) | 1 499 600 шт. | от 0,32 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LBSS84WT1G (LRC) | 183 358 шт. | от 1,57 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LDN2012DT2AG (LRC) | 304 000 шт. | от 8,35 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
polevye-tranzistory