Полевые транзисторы
?page=8&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- Производитель:YJ ×
Найдено: 709
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002KCX (YJ) | 185 948 шт. | от 2,22 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| BSS123W (YJ) | 378 280 шт. | от 0,85 |
15 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| BSS84DW (YJ) | 1 104 000 шт. | от 1,22 |
18 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJB110G10B (YJ) | 8 000 шт. | от 56,01 |
18 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJB120G08A (YJ) | 8 000 шт. | от 43,84 |
18 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJB200G06A (YJ) | 8 000 шт. | от 52,17 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJB200G06C (YJ) | 680 шт. | от 36,31 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJB70G10A (YJ) | 14 703 шт. | от 27,35 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJB70G10B (YJ) | 41 918 шт. | от 33,48 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJD15N10A (YJ) | 64 567 шт. | от 19,26 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJD18G15A (YJ) | 105 000 шт. | от 10,72 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| YJD217045NCFGH (YJ) | 7 шт. | от 3 602,73 |
3 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
 |
| YJD25N10A (YJ) | 46 790 шт. | от 14,34 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJD30N02A (YJ) | 40 000 шт. | от 8,75 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
| YJD35P03A (YJ) | 25 000 шт. | от 14,35 |
18 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJD40N04A (YJ) | 80 000 шт. | от 11,27 |
8 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
| YJD45G10B (YJ) | 40 456 шт. | от 19,62 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJD50N03A (YJ) | 52 010 шт. | от 6,78 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
| YJD60N02A (YJ) | 24 398 шт. | от 6,80 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor |
 |
— |
| YJD65G10A (YJ) | 30 000 шт. | от 30,34 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
polevye-tranzistory