Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Полевые транзисторы

  • Наименование
  • Корпус
  • Конфигурация и полярность
  • Максимальное напряжение сток-исток
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
  • Сопротивление открытого канала (мин)
Фильтр×
  • Производитель:
    PAN ×
Найдено: 91
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Отгрузка
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
2SK3892 (PAN)
+
90 436,96 12 дн.
FJ3303010L (PAN)
+
7640 20,47 9 дн.
FJ6K01010L (PAN)
+
644 51,27 12 дн.
FK3303010L (PAN)
+
29086 19,30 9 дн.
FK3306010L (PAN)
+
26646 39,39 12 дн.
FK3503010L (PAN)
+
16715 10,71 9 дн.
FK3506010L (PAN)
+
4019 46,68 12 дн.
FK3906010L (PAN)
+
140 17,42 9 дн.
FK8V03020L (PAN)
+
230 45,18 9 дн.
FK8V03040L (PAN)
+
2720 138,01 12 дн.
FK8V03050L (PAN)
+
2368 116,69 12 дн.
MTM131270BBF (PAN)
+
1413 86,80 12 дн.
MTM231232LBF (PAN)
+
66900 62,16 7 дн.
MTM232230LBF (PAN)
+
17246 51,19 9 дн.
MTM232270LBF (PAN)
+
169579 22,47 9 дн.
MTM761100LBF (PAN)
+
51022 53,97 12 дн.
MTM761110LBF (PAN)
+
5294 59,69 12 дн.
MTM761230LBF (PAN)
+
40457 52,62 12 дн.
MTM861270LBF (PAN)
+
65035 114,42 12 дн.
MTM861280LBF (PAN)
+
9286 112,44 12 дн.

Общее описание

MOSFET - это один из типов транзисторов – полевой транзистор с изолированным затвором. В русском языке принято сокращение МОП или МДП-транзистор. Здесь затвор изолирован от канала слоем диэлектрика – двуокисью кремния. MOSFET транзисторы с встроенным каналом открыты при нулевом напряжении на затворе в отличие от приборов с индуцированным каналом для открывания которых требуется приложить напряжение больше напряжения отпирания.

Наибольшую популярность получили MOSFET транзисторы с индуцированным N-каналом для управления которыми требуется положительный потенциал относительно истока, но и P-канальные транзисторы тоже востребованы в ряде случаев.

Работа MOSFET транзисторов

В отличие от биполярных транзисторов, управляемых током, полевые управляются потенциалом. Основные преимущества MOSFET транзисторов: меньшие потери на управление, более высокая скорость переключения, положительная температурная зависимость сопротивления открытого канала от температуры, отсутствие вторичного пробоя.

Выбор MOSFET транзисторов

Основными параметрами для выбора MOSFET транзисторов являются:

  • максимальное напряжение сток-исток, V(BR)DSS;
  • ток стока номинальный, ID;
  • сопротивление открытого канала, Rds(on);
  • рассеиваемая мощность, PD;
  • заряд затвора, Qg

Выбор типа канала, максимального напряжения, тока и рассеиваемой мощности определяется конкретными требованиями применяемого схемотехнического решения. При работе в ключевом режиме важным параметром является сопротивление открытого канала, оно определяет потери в статическом режиме. Величина заряда затвора определяет выбор управляющих цепей для обеспечения требуемого быстродействия. Управляющее напряжение MOSFET транзисторов обычно составляет 10-15 В, максимально допустимое 20-30 В. Для управления от цифровых устройств производят транзисторы с пониженным напряжением отпирания – MOSFET с логическим управлением.

Конструкция MOSFET транзисторов

MOSFET транзисторы выпускаются в различных типах корпусов, начиная от миниатюрных типоразмера 0402 (1,0 x 0,6 мм) и до TO-274. Имеются сборки их двух транзисторов или транзистор и диод Шоттки в популярных корпусах SOIC-8.

Купить MOSFET транзисторы

В ДКО Электронщик можно купить MOSFET-транзисторы мировых лидеров Fairchild, Infineon, NXP, ON Semiconductor, ST Microelectronics, TOSHIBA, Vishay.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень