Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Полевые транзисторы

  • Наименование
  • Корпус
  • Конфигурация и полярность
  • Максимальное напряжение сток-исток
  • Ток стока номинальный при 25°C
  • Сопротивление открытого канала (мин)
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
  • Диапазон номинальных напряжений затвора
  • Максимальное напряжение затвора
  • Заряд затвора
  • Рассеиваемая мощность
  • Примечание
  • Ёмкость затвора
  • Особенности
Фильтр×
  • Производитель:
    YOUTAI ×
Найдено: 561
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Количество
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
100N03A (YOUTAI) хит 451 948 шт. от 12,90 0 дн.
Немедленно
15N10 (YOUTAI) хит % 889 246 шт. от 18,45 0 дн.
Немедленно
20N06 (YOUTAI) хит 772 448 шт. от 14,78 0 дн.
Немедленно
25N06 (YOUTAI) хит 349 655 шт. от 12,34 0 дн.
Немедленно
2N7002B (YOUTAI) 2 383 704 шт. от 1,67 0 дн.
Немедленно
30N06 (YOUTAI) хит % 965 375 шт. от 16,11 0 дн.
Немедленно
AO3400A (YOUTAI) хит 4 414 064 шт. от 2,75 0 дн.
Немедленно
AO3401A (YOUTAI) хит 4 407 518 шт. от 2,51 0 дн.
Немедленно
AO3407A (YOUTAI) 3 004 314 шт. от 2,44 0 дн.
Немедленно
FDN304P (YOUTAI) хит % 1 325 272 шт. от 6,11 0 дн.
Немедленно
IRLML6401 (YOUTAI) 1 137 860 шт. от 2,73 0 дн.
Немедленно
IRLML6402 (YOUTAI) 1 149 835 шт. от 7,37 0 дн.
Немедленно
STD20NF06L (YOUTAI) % 575 601 шт. от 28,34 0 дн.
Немедленно
STN4438 (YOUTAI) хит % 1 133 057 шт. от 13,34 0 дн.
Немедленно
1N60G (YOUTAI) 1 154 027 шт. от 9,78 0 дн.
Немедленно
1N65G (YOUTAI) 1 221 436 шт. от 12,00 0 дн.
Немедленно
2N7002 (YOUTAI) 4 237 412 шт. от 2,00 0 дн.
Немедленно
50N06 (YOUTAI) 617 713 шт. от 18,00 0 дн.
Немедленно
AO3402A (YOUTAI) хит 2 759 667 шт. от 3,22 0 дн.
Немедленно
AO3415A (YOUTAI) 2 002 400 шт. от 4,00 0 дн.
Немедленно

Общее описание

MOSFET - это один из типов транзисторов – полевой транзистор с изолированным затвором. В русском языке принято сокращение МОП или МДП-транзистор. Здесь затвор изолирован от канала слоем диэлектрика – двуокисью кремния. MOSFET транзисторы с встроенным каналом открыты при нулевом напряжении на затворе в отличие от приборов с индуцированным каналом для открывания которых требуется приложить напряжение больше напряжения отпирания.

Наибольшую популярность получили MOSFET транзисторы с индуцированным N-каналом для управления которыми требуется положительный потенциал относительно истока, но и P-канальные транзисторы тоже востребованы в ряде случаев.

Работа MOSFET транзисторов

В отличие от биполярных транзисторов, управляемых током, полевые управляются потенциалом. Основные преимущества MOSFET транзисторов: меньшие потери на управление, более высокая скорость переключения, положительная температурная зависимость сопротивления открытого канала от температуры, отсутствие вторичного пробоя.

Выбор MOSFET транзисторов

Основными параметрами для выбора MOSFET транзисторов являются:

  • максимальное напряжение сток-исток, V(BR)DSS;
  • ток стока номинальный, ID;
  • сопротивление открытого канала, Rds(on);
  • рассеиваемая мощность, PD;
  • заряд затвора, Qg

Выбор типа канала, максимального напряжения, тока и рассеиваемой мощности определяется конкретными требованиями применяемого схемотехнического решения. При работе в ключевом режиме важным параметром является сопротивление открытого канала, оно определяет потери в статическом режиме. Величина заряда затвора определяет выбор управляющих цепей для обеспечения требуемого быстродействия. Управляющее напряжение MOSFET транзисторов обычно составляет 10-15 В, максимально допустимое 20-30 В. Для управления от цифровых устройств производят транзисторы с пониженным напряжением отпирания – MOSFET с логическим управлением.

Конструкция MOSFET транзисторов

MOSFET транзисторы выпускаются в различных типах корпусов, начиная от миниатюрных типоразмера 0402 (1,0 x 0,6 мм) и до TO-274. Имеются сборки их двух транзисторов или транзистор и диод Шоттки в популярных корпусах SOIC-8.

Купить MOSFET транзисторы

В ДКО Электронщик можно купить MOSFET-транзисторы ведущих азиатских производителей.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 11.10.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 11.10.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.