Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Полевые транзисторы

  • Наименование
  • Корпус
  • Конфигурация и полярность
  • Максимальное напряжение сток-исток
  • Ток стока номинальный при 25°C
  • Сопротивление открытого канала (мин)
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
  • Диапазон номинальных напряжений затвора
  • Максимальное напряжение затвора
  • Заряд затвора
  • Рассеиваемая мощность
  • Примечание
  • Ёмкость затвора
  • Особенности
Фильтр×
  • Производитель:
    YOUTAI ×
Найдено: 561
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Количество
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
100N03A (YOUTAI) хит 511 791 шт. от 7,80 0 дн.
Немедленно
15N10 (YOUTAI) хит % 887 130 шт. от 18,50 0 дн.
Немедленно
20N06 (YOUTAI) хит 745 893 шт. от 5,70 0 дн.
Немедленно
25N06 (YOUTAI) хит 492 176 шт. от 12,37 0 дн.
Немедленно
2N7002B (YOUTAI) % 2 478 238 шт. от 1,67 0 дн.
Немедленно
30N06 (YOUTAI) хит 918 361 шт. от 16,16 0 дн.
Немедленно
AO3400A (YOUTAI) хит 4 244 536 шт. от 2,76 0 дн.
Немедленно
AO3401A (YOUTAI) хит 4 577 506 шт. от 1,30 0 дн.
Немедленно
AO3407A (YOUTAI) 2 964 783 шт. от 1,40 0 дн.
Немедленно
FDN304P (YOUTAI) хит 1 330 890 шт. от 2,40 0 дн.
Немедленно
IRLML6401 (YOUTAI) 1 190 727 шт. от 1,70 0 дн.
Немедленно
IRLML6402 (YOUTAI) 1 202 950 шт. от 7,03 0 дн.
Немедленно
STD20NF06L (YOUTAI) % 545 062 шт. от 28,42 0 дн.
Немедленно
STN4438 (YOUTAI) хит % 858 087 шт. от 4,00 0 дн.
Немедленно
1N60G (YOUTAI) 1 160 151 шт. от 4,00 0 дн.
Немедленно
1N65G (YOUTAI) 1 439 354 шт. от 12,04 0 дн.
Немедленно
2N7002 (YOUTAI) 4 262 354 шт. от 0,66 0 дн.
Немедленно
50N06 (YOUTAI) 605 933 шт. от 18,05 0 дн.
Немедленно
AO3402A (YOUTAI) хит 2 702 131 шт. от 3,23 0 дн.
Немедленно
AO3415A (YOUTAI) 2 099 945 шт. от 1,70 0 дн.
Немедленно

Общее описание

MOSFET - это один из типов транзисторов – полевой транзистор с изолированным затвором. В русском языке принято сокращение МОП или МДП-транзистор. Здесь затвор изолирован от канала слоем диэлектрика – двуокисью кремния. MOSFET транзисторы с встроенным каналом открыты при нулевом напряжении на затворе в отличие от приборов с индуцированным каналом для открывания которых требуется приложить напряжение больше напряжения отпирания.

Наибольшую популярность получили MOSFET транзисторы с индуцированным N-каналом для управления которыми требуется положительный потенциал относительно истока, но и P-канальные транзисторы тоже востребованы в ряде случаев.

Работа MOSFET транзисторов

В отличие от биполярных транзисторов, управляемых током, полевые управляются потенциалом. Основные преимущества MOSFET транзисторов: меньшие потери на управление, более высокая скорость переключения, положительная температурная зависимость сопротивления открытого канала от температуры, отсутствие вторичного пробоя.

Выбор MOSFET транзисторов

Основными параметрами для выбора MOSFET транзисторов являются:

  • максимальное напряжение сток-исток, V(BR)DSS;
  • ток стока номинальный, ID;
  • сопротивление открытого канала, Rds(on);
  • рассеиваемая мощность, PD;
  • заряд затвора, Qg

Выбор типа канала, максимального напряжения, тока и рассеиваемой мощности определяется конкретными требованиями применяемого схемотехнического решения. При работе в ключевом режиме важным параметром является сопротивление открытого канала, оно определяет потери в статическом режиме. Величина заряда затвора определяет выбор управляющих цепей для обеспечения требуемого быстродействия. Управляющее напряжение MOSFET транзисторов обычно составляет 10-15 В, максимально допустимое 20-30 В. Для управления от цифровых устройств производят транзисторы с пониженным напряжением отпирания – MOSFET с логическим управлением.

Конструкция MOSFET транзисторов

MOSFET транзисторы выпускаются в различных типах корпусов, начиная от миниатюрных типоразмера 0402 (1,0 x 0,6 мм) и до TO-274. Имеются сборки их двух транзисторов или транзистор и диод Шоттки в популярных корпусах SOIC-8.

Купить MOSFET транзисторы

В ДКО Электронщик можно купить MOSFET-транзисторы ведущих азиатских производителей.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 02.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 02.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.