Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Полевые транзисторы

  • Наименование
  • Корпус
  • Конфигурация и полярность
  • Максимальное напряжение сток-исток
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
  • Сопротивление открытого канала (мин)
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
  • Диапазон номинальных напряжений затвора
  • Максимальное напряжение затвора
  • Заряд затвора
  • Рассеиваемая мощность
  • Примечание
  • Ёмкость затвора
  • Особенности
Фильтр×
  • Производитель:
    YOUTAI ×
Найдено: 561
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Количество
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
100N03A (YOUTAI) хит 292 533 шт. от 7,40 0 дн.
Немедленно
15N10 (YOUTAI) хит % 544 265 шт. от 6,80 0 дн.
Немедленно
20N06 (YOUTAI) хит 479 101 шт. от 5,60 0 дн.
Немедленно
25N06 (YOUTAI) хит % 338 392 шт. от 6,90 0 дн.
Немедленно
2N7002B (YOUTAI) % 1 396 945 шт. от 0,57 0 дн.
Немедленно
30N06 (YOUTAI) 699 006 шт. от 16,15 0 дн.
Немедленно
AO3400A (YOUTAI) хит 2 393 636 шт. от 1,40 0 дн.
Немедленно
AO3401A (YOUTAI) хит 2 287 884 шт. от 1,40 0 дн.
Немедленно
AO3407A (YOUTAI) хит 1 585 125 шт. от 1,40 0 дн.
Немедленно
FDN304P (YOUTAI) 806 314 шт. от 2,30 0 дн.
Немедленно
IRLML6401 (YOUTAI) 653 798 шт. от 1,70 0 дн.
Немедленно
IRLML6402 (YOUTAI) 734 283 шт. от 2,00 0 дн.
Немедленно
STD20NF06L (YOUTAI) % 372 161 шт. от 10,50 0 дн.
Немедленно
STN4438 (YOUTAI) хит 552 405 шт. от 3,80 0 дн.
Немедленно
1N60G (YOUTAI) 662 911 шт. от 3,90 0 дн.
Немедленно
1N65G (YOUTAI) 748 181 шт. от 12,03 0 дн.
Немедленно
2N7002 (YOUTAI) 2 219 796 шт. от 0,65 0 дн.
Немедленно
50N06 (YOUTAI) хит 384 066 шт. от 18,04 0 дн.
Немедленно
AO3402A (YOUTAI) хит 1 524 995 шт. от 3,23 0 дн.
Немедленно
AO3415A (YOUTAI) 1 130 388 шт. от 1,80 0 дн.
Немедленно

Общее описание

MOSFET - это один из типов транзисторов – полевой транзистор с изолированным затвором. В русском языке принято сокращение МОП или МДП-транзистор. Здесь затвор изолирован от канала слоем диэлектрика – двуокисью кремния. MOSFET транзисторы с встроенным каналом открыты при нулевом напряжении на затворе в отличие от приборов с индуцированным каналом для открывания которых требуется приложить напряжение больше напряжения отпирания.

Наибольшую популярность получили MOSFET транзисторы с индуцированным N-каналом для управления которыми требуется положительный потенциал относительно истока, но и P-канальные транзисторы тоже востребованы в ряде случаев.

Работа MOSFET транзисторов

В отличие от биполярных транзисторов, управляемых током, полевые управляются потенциалом. Основные преимущества MOSFET транзисторов: меньшие потери на управление, более высокая скорость переключения, положительная температурная зависимость сопротивления открытого канала от температуры, отсутствие вторичного пробоя.

Выбор MOSFET транзисторов

Основными параметрами для выбора MOSFET транзисторов являются:

  • максимальное напряжение сток-исток, V(BR)DSS;
  • ток стока номинальный, ID;
  • сопротивление открытого канала, Rds(on);
  • рассеиваемая мощность, PD;
  • заряд затвора, Qg

Выбор типа канала, максимального напряжения, тока и рассеиваемой мощности определяется конкретными требованиями применяемого схемотехнического решения. При работе в ключевом режиме важным параметром является сопротивление открытого канала, оно определяет потери в статическом режиме. Величина заряда затвора определяет выбор управляющих цепей для обеспечения требуемого быстродействия. Управляющее напряжение MOSFET транзисторов обычно составляет 10-15 В, максимально допустимое 20-30 В. Для управления от цифровых устройств производят транзисторы с пониженным напряжением отпирания – MOSFET с логическим управлением.

Конструкция MOSFET транзисторов

MOSFET транзисторы выпускаются в различных типах корпусов, начиная от миниатюрных типоразмера 0402 (1,0 x 0,6 мм) и до TO-274. Имеются сборки их двух транзисторов или транзистор и диод Шоттки в популярных корпусах SOIC-8.

Купить MOSFET транзисторы

В ДКО Электронщик можно купить MOSFET-транзисторы ведущих азиатских производителей.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 29.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 29.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.