Полевые транзисторы
?page=8&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:YJ ×
Найдено: 281
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002KCWQ (YJ) | 1 129 200 шт. | от 2,32 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| 2N7002KCX (YJ) | 258 000 шт. | от 1,41 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| BSS123W (YJ) | 1 153 900 шт. | от 1,00 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| BSS84DW (YJ) | 1 110 000 шт. | от 1,35 |
35 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJB110G10B (YJ) | 8 000 шт. | от 57,55 |
35 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJB120G08A (YJ) | 8 000 шт. | от 45,05 |
35 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJB200G06A (YJ) | 22 400 шт. | от 53,61 |
45 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJB200G06C (YJ) | 700 шт. | от 38,49 |
2 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJB70G10A (YJ) | 36 800 шт. | от 35,53 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJB70G10B (YJ) | 64 318 шт. | от 38,02 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJD15N10A (YJ) | 279 323 шт. | от 18,52 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJD18G15A (YJ) | 105 000 шт. | от 11,96 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — | — | — |
| YJD217045NCFGH (YJ) | 7 шт. | от 3 761,94 |
3 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
 |
| YJD25N10A (YJ) | 169 980 шт. | от 14,82 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJD30N02A (YJ) | 140 000 шт. | от 8,84 |
45 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
| YJD35P03A (YJ) | 25 000 шт. | от 14,75 |
35 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJD40N04A (YJ) | 289 140 шт. | от 8,56 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
| YJD45G10B (YJ) | 136 950 шт. | от 16,66 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJD50N03A (YJ) | 229 538 шт. | от 7,14 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
| YJD60N02A (YJ) | 193 130 шт. | от 7,20 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor |
 |
— |
polevye-tranzistory