Полевые транзисторы
?page=46&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Найдено: 47525
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| YJQ70G06A (YJ) % | 2 699 шт. | от 15,20 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
— |
| YJS11G10A (YJ) % | 7 710 шт. | от 11,50 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
 |
— | — | — |
| 2SK1358 (TOS) | 38 шт. | от 672,95 |
4 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SK1507 (FUJI) | 8 шт. | от 253,82 |
4 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SK170BL[F] (TOS) | 480 шт. | от 460,95 |
35 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SK216 (HIT) | 10 шт. | от 186,35 |
4 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SK2545 (TOS) | 17 шт. | от 248,47 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2605 (TOS) | 56 шт. | от 417,46 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2615[TE12L.F] (TOS) | 270 168 шт. | от 15,56 |
13 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SK2750 (TOS) | 236 шт. | от 35,80 |
2 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SK2842 (TOS) | 295 шт. | от 171,44 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | — |
| 2SK2843 (TOS) | 910 шт. | от 300,24 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | — |
| 2SK3566 (TOS) | 103 шт. | от 67,60 |
2 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SK793 (TOS) | 1 шт. | от 232,67 |
4 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 8205A (KUU) | 584 620 шт. | от 1,87 |
13 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| AO4803A (ELECSUPE) | 11 660 шт. | от 15,58 |
3 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| GC2M0080120D1 (SUPSIC) | 3 564 шт. | от 245,98 |
17 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
| GC3M0021120D (SUPSIC) | 2 268 шт. | от 1 993,62 |
18 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| IRF840 (MINOS) | 280 шт. | от 23,94 |
13 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — |
 |
 |
— |
 |
— |
| IRFB4227PBF (JSMICRO) | 134 200 шт. | от 39,86 |
17 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
polevye-tranzistory