Корпус SON10 , Кол-во защищаемых линий (каналов) 1 , Пороговое напряжение 28 мВ, Ток утечки 2 мкА, Паразитная емкость линии 5 нФ, Примечание 12V eFuse with Integrated Blocking FET Driver , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 85 °C
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.