Корпус —, Кол-во нижних каналов 1 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 35 В, Максимальный выходной ток нарастания 4 А, Максимальный выходной ток спада 4 А, Напряжение изоляции 5.7 кВ, Опции Half Bridge Based IGBT/MOSFET Driver, 4A, PDSO16 , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C, Примечание Half Bridge Based IGBT/MOSFET Driver, 4A, PDSO16
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.