AS4C16M16MD1-6BCN / Alliance Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

DDR память (SDRAM) для мобильных устройств

Основные параметры:

Размер памяти: 256 Мбит;
Разрядность шины данных: 16 бит;
Организация: 16 M x 16;
Максимальная тактовая частота: 166 МГц;
Время доступа: 6,5 нс;
Напряжение питания: 1,7 ... 1,95 В;
Рабочая температура: - 25 ... +85°C
Монтаж: SMD / SMT;
Корпус: 60-ball FPBGA

Корпус BGA60 , Тип памяти RAM , Подтип памяти Mobile DDR SDRAM , Интерфейс Parallel , Объём памяти 256 Мбит, Организация памяти 16M x 16 , Напряжение питания, min 1.7 В, Напряжение питания, max 1.95 В, Рабочая температура -25 °C, Рабочая температура 85 °C, Время доступа 6.024096 нс

Описания и документация

2/256M-AS4C16M16MD1_mobile-v1.pdf

Характеристики

Корпус

BGA60
Тип памяти

RAM
Подтип памяти

Mobile DDR SDRAM
Интерфейс

Parallel
Объём памяти

256 Мбит
Организация памяти

16M x 16
Напряжение питания, min

1.7 В
Напряжение питания, max

1.95 В
Рабочая температура

-25 °C
Рабочая температура

85 °C
Время доступа

6.024096 нс