2N1308 / ASI
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Ток коллектора 300 мА, Граничная рабочая частота 15 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, NPN, Germanium, TO-5
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Ток коллектора300 мА
-
Граничная рабочая частота15 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min80
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, NPN, Germanium, TO-5