Характеристики

• Ёмкость номинальная
  0.8 пФ
• Допуск по ёмкости
  ±0.05пФ
• Напряжение постоянное номинальное
  50 В
• Тип диэлектрика
  SILICON DIOXIDE AND OXYNITRIDE
• Способ монтажа
  на плату, SMT
• Температура рабочая
  -55 °C
• Температура рабочая
  125 °C
• Длина
  0.6 мм
• Ширина
  0.325 мм
• Высота
  0.225 мм
• Примечание
  Film Capacitor, Silicon Dioxide And Oxynitride, 50V, 6.25% +Tol, 6.25% -Tol, J, 30ppm/Cel TC, 0.0000008uF, Surface Mount, 0201
• Особенности
  High Temperature