04023J4R0ABSTR / AVX
Не поставляется
Добавить к сравнению
Ёмкость номинальная 4 пФ, Допуск по ёмкости ±0.05пФ , Напряжение постоянное номинальное 25 В, Напряжение переменное номинальное 25 В, Тип диэлектрика SILICON DIOXIDE AND OXYNITRIDE , Способ монтажа на плату, SMT , Шаг выводов 0.5 мм, Температура рабочая -55 °C, Температура рабочая 125 °C, Длина 1 мм, Ширина 0.55 мм, Высота 0.4 мм, Примечание Film Capacitor, Silicon Dioxide And Oxynitride, 25V, 1.25% +Tol, 1.25% -Tol, J, 30ppm/Cel TC, 0.000004uF, Surface Mount, 0402 , Особенности High Temperature
Характеристики
-
Ёмкость номинальная4 пФ
-
Допуск по ёмкости±0.05пФ
-
Напряжение постоянное номинальное25 В
-
Напряжение переменное номинальное25 В
-
Тип диэлектрикаSILICON DIOXIDE AND OXYNITRIDE
-
Способ монтажана плату, SMT
-
Шаг выводов0.5 мм
-
Температура рабочая-55 °C
-
Температура рабочая125 °C
-
Длина1 мм
-
Ширина0.55 мм
-
Высота0.4 мм
-
ПримечаниеFilm Capacitor, Silicon Dioxide And Oxynitride, 25V, 1.25% +Tol, 1.25% -Tol, J, 30ppm/Cel TC, 0.000004uF, Surface Mount, 0402
-
ОсобенностиHigh Temperature